УДК 621.3.049.77:681.5 ДАТЧИК МАЛОСИГНАЛЬНОЙ НЕСИММЕТРИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР В. П. <...> Морозов Описан датчик несимметрии, проявляющейся при воздействии слабых двуполярных сигналов на некоторые полупроводниковые структуры. <...> Датчик построен на основе аналогового интегратора, управляемого синхронно с переменным тестовым сигналом. <...> Для современных измерительных и управляющих систем помимо типовых серийно производимых микросхем в ряде случаев создаются специализированные микросхемы, разрабатываемые либо полностью в лабораториях возможного потребителя, либо с его непосредственным участием. <...> В настоящее время такие структуры довольно широко испытываются в прототипах приборов для обнаружения слабых излучений, регистрации элементарных частиц и т. п. <...> . Одной из задач, возникающих в процессе исследовании полупроводниковых компонентов для входной части (front-end) подобных систем, является оценка нелинейности передаточных характеристик контактных или других биполярных и полевых структур типа кремний-кремний, металл-кремний и др. в области малых сигналов, при приложенных напряжениях вплоть до долей милливольта и протекании малых токов. <...> Несмотря на использование современных измерительных приборов (наноамперметров, пикоамперметров) и экранирование зоны измерений, при проведении соответствующих контрольно-измерительных операций могут возникать значительные погрешности из-за воздействия низкочастотных (от самой измерительной аппаратуры) и высокочастотных (в том числе, эфирных) помех. <...> Для оценки малосигнальной несимметрии проводимости и вольтамперных характеристик различных полупроводниковых структур приходится в ряде случаев измерять токи порядка 10–8.10–10 А при различных полярностях и значениях приложенного напряжения. <...> Если сигнал на тестируемую структуру подается от источника переменного напряжения с регулируемой амплитудой, область интересующих исследователя значений сигналов <...>