УДК 681.586’36.001.24 АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ РАБОТЫ Z-ТЕРМИСТОРОВ В РЕЖИМЕ ГЕНЕРАЦИИ П. В. <...> Миронова Получено математическое описание процессов в объеме полупроводниковых приборов — Z-термисторов в режиме генерации частотно-импульсного выходного сигнала. <...> Внутренняя структура Z-термисторов (ZT) такова, что преобразование входного не электрического воздействия происходит в объеме пластины полупроводника, и выходной электрический сигнал, как правило, не требует дополнительной обработки и усиления. <...> Способность структуры реагировать на изменение внешнего воздействия достигается технологически, глубиной диффузии и концентрацией диффузанта [1, 2]. <...> В данной работе рассмотрено функционирование ZT в качестве термочувствительных приборов [3, 4]. <...> Вольтамперная характеристика (ВАХ) ZT имеет L-образный вид (рис. <...> Участок 0—1 характеристики отражает поведение структуры ZT до перехода ее в состояние со шнуром тока [5]. <...> После достижения питающим напряжением величины Uth, достаточной для выброса электронов из запрещенной зоны в зону проводимости, происходит переход 1—2 структуры в устойчивое состояние со шнуром тока (участок 2—3). <...> К основным рабочим параметрам Z-термисторов относятся: — пороговое напряжение (Uth, В); — пороговый ток (Ith, мА); — напряжение шнура (Uf, В); — ток шнура (If, В); I, мА 3 — амплитуда выходного сигнала (∆U, В); — частота выходного сигнала (F, Гц). <...> Рассматривая работу ZT в пороговом режиме, т. е. в отсутствие генерации импульсов, обратимся к процессам, протекающим в объеме структуры и влияющим на выходные параметры. <...> На начальном участке ВАХ большая часть электронов “заперта” на глубоких энергетических уровнях, и им не достаточно энергии для перехода в свободное состояние (ионизации). <...> Найдем величину энергии ионизации электронов для ZT. <...> Как известно, ширина запрещенной зоны полупроводникового материала кремния n-типа, который является основой описываемых структур, составляет 1,1 эВ. <...> В результате введения диффузанта <...>