305 – 310 2017 г. 10 марта c Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия В.А.Володин+∗1), В.А.Тимофеев+, А.Р.Туктамышев+∗, А.И.Никифоров+ +Институт физики полупроводников им. <...> А.В.Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия ∗Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия Поступила в редакцию 16 января 2017 г. После переработки 30 января 2017 г. Растянутые пленки германия в многослойных гетероструктурах Ge/GeSn/Si/GeSnSi, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках Si(001), исследованы с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света. <...> Двуосные деформации растяжения в пленках достигали 1.5 %, что превысило значения, полученные ранее для данной системы. <...> Экспериментально обнаружено расщепление частот длинноволновых оптических фононов, т.е. вызванный двуосными растяжениями сдвиг частоты синглета, как и предсказывают расчеты, больше сдвига частоты дублета. <...> Обнаружен также индуцированный деформациями сдвиг пиков комбинационного рассеяния света от двухфононного рассеяния в германии. <...> Относительно небольшая разница в энергии (0.14 эВ) между прямыми и непрямыми переходами в Ge дает надежду на создание прямозонного деформированного германия для создания светоизлучающих структур с хорошей квантовой эффективностью. <...> Кимерлинг с соавторами сообщил о сверхлинейном увеличении мощности излучения от накачки (лазерный эффект) в растянутых пленках германия n-типа [7]. <...> Выращивание пленок на искусственной подложке с несовпадающим параметром кристаллической решетки является одним из путей получения сильно деформированных материалов. <...> В многослойных гетероструктурах InGaAs/Ge/InGaAs деформация растяжения в пленках Ge в плоскости роста достигает 2.33% [8– 10]. <...> В этом случае, если параметр подложки больше параметра деформируемого материала, а толщина выращиваемого слоя не превосходит критической, пленка остается псевдоморфной и является двухосно растянутой. <...> Для выращивания растянутых <...>