64 новости Новости сайта www.efo.ru Broadcom качество Infineon, а также отвечают требованиям схем с мягким переключением и стандартов EMI по эффективности. RC-E-транзисторы обеспечивают характеристики лучшие, чем у предшественников, и ниже по цене. <...> Модели семейства RC-E выпускаются в стандартном корпусе TO-247, что позволяет легко установить их в существующие разработки. <...> Microchip Technology Анонсирован новый оптический трансивер в форм-факторе SFF (2Ч5) для сетей Fast Ethernet — AFBR-59E4APZ-LH. <...> Модуль отличается от аналогов крайне низким энергопотреблением (типичное значение рассеиваемой мощности — 353 мВт). <...> Трансивер предназначен для передачи оптического сигнала по многомодовому оптоволокну и работает в индустриальном температурном диапазоне (–40… <...> FTDI Компания FTDI пополнила линейку своих SuperSpeed USB-мостов новой микросхемой FT602Q, особенностью которой является поддержка класса UVC v. <...> Микросхема может отправлять несжатый видеопоток в формате YUV422 в режиме 1920Ч1080 точек и 60 кадров/с. <...> Основное питание микросхемы осуществляется от источника 3,3 В, максимальное потребление составляет 185 мА. <...> Для оценки возможностей новой микросхемы производитель предлагает две отладочные платы UMFT602A и UMFT602X, полностью идентичные по схемотехнике и содержащие все необходимые компоненты для работы с FT602Q. <...> На плате UMFT602A установлен разъем HSMC, подходящий для подключения к отладочным платам Altera. <...> На плате UMFT602X установлен разъем FMC, предназначенный для отладочных плат Xilinx. <...> Infineon Technologies Представлена новая серия дискретных IGBTтранзисторов, полностью отвечающих требованиям для инверторов индукционных плит. <...> Чаще всего используются резонансные схемы, которые обеспечивают двунаправленность потока мощности. <...> Обычно в этих применениях в качестве силового ключа используется дискретный IGBTтранзистор, работающий на частотах 18–40 кГц с низкими потерями. <...> Новое семейство RC-E — это транзисторы с интегрированным в кристалл IGBT обратным диодом для переключения в резонансном режиме. <...> Технология <...>