Пленки HgCdTe были выращены методом молекулярнолучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013) и Si (013). <...> Обсуждены возможности определения основных параметров МДП-структур на основе n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21–0,23) с варизонным слоем и без варизонного слоя из адмиттанса структур, измеренного в широком диапазоне температур и частот. <...> Ширина запрещенной зоны Hg1-xCdxTe зависит от содержания CdTe, что позволяет создать на основе данного материала детекторы для различных спектральных областей, в том числе для спектральных диапазонов окон прозрачности атмосферы 3–5 и 8–14 мкм. <...> Молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) HgCdTe позволяет выращивать пленки с заданным распределением состава по толщине эпитаксиальной пленки. <...> Эта возможность используется для оптимизации характеристик инфракрасных детекторов, например, путем создания приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием Войцеховский Александр Васильевич1, зав. кафедрой, д.ф.-м.н. <...> E-mail: n.kulchitsky@gmail.com Статья поступила в редакцию 15 ноября 2016 г. © Войцеховский А. В., Кульчицкий Н. А., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., 2017 CdTe, которые приводят к уменьшению влияния поверхностной рекомбинации на время жизни фотоносителей в объеме эпитаксиальной пленки HgCdTe [2]. <...> Структура металл– диэлектрик–полупроводник часто используется для исследования свойств диэлектрика, границы раздела и приповерхностного слоя полупроводника. <...> Для пассивации HgCdTe широко применяется CdTe, но поиски новых пассивирующих покрытий для некоторых применений продолжаются и в настоящее время [3]. <...> Возможности применения традиционных методов характеризации пассивирующих покрытий путем исследования электрофизических характеристик МДП-структур [4] ограничены особенностями МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, а именно, большим значением сопротивления объема эпитаксиальной пленки, а также возможным наличием приповерхностного варизонного слоя. <...> Первые исследования электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ <...>