1 *e-mail: admaximov@mitht.ru Поступила в редакцию 24.06.2016 г. Предложена модель расчета состава твердого раствора GaAsxP1– x, основанная на определении итерационным методом равновесных парциальных давлений продуктов пиролиза исходных реагентов с последующим расчетом состава по адсорбционно-десорбционной модели. <...> Предложенная модель показывает хорошее соответствие результатов расчета с экспериментальными данными. <...> Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, GaAsP, термодинамика, расчет состава, полупроводниковые лазеры DOI: 10.7868/S0002337X17040121 ВВЕДЕНИЕ В последние несколько десятилетий полупроводниковые гетероструктуры AlGaAs/GaAsP/GaAs нашли широкое применение в квантовой и оптической электронике [1]. <...> Одним из ключевых и массовых направлений применения данных гетероструктур является создание лазерных излучателей, используемых в качестве мощных источников накачки в твердотельных лазерах. <...> Для ряда задач по созданию лазерных излучателей спектрального диапазона 700–850 нм, применяемых в лазерных информационных системах, существуют требования по обеспечению высокой надежности и выходной мощности приборов. <...> Наилучшие характеристики для таких приборов достигаются благодаря использованию в качестве активной области тройного твердого раствора GaAsxP1– x. <...> Именно благодаря применению этого материала в напряженных квантовых ямах можно повысить предельные мощности лазеров и увеличить срок их службы. <...> Однако стоит подчеркнуть, что при этом возникает новая задача, которую необходимо решать, а именно: точное предсказание и технологическое обеспечение заданных излучательных характеристик гетероструктур в условиях промышленного метода получения – метода МОС-гидридной эпитаксии. <...> Ладугин2 , логического процесса с использованием фундаментальных физико-химических законов с учетом особенностей метода МОС-гидридной эпитаксии. <...> Более того, он не позволяет изучить физико-химическую сущность механизмов формирования твердого раствора <...>