Г. Джавида, 131 *е-mail: bagieva-gjulandam@rambler.ru Поступила в редакцию 28.03.2016 г. Исследовано влияние отжига на электропроводность σ и коэффициент термо-ЭДС α кристаллов SnTe. <...> Показано, что температурные зависимости σ и α неотожженных и отожженных образцов SnTe, а также влияние отжига на эти параметры удовлетворительно объясняются моделью двух валентных зон, разделенных энергетическим зазором. <...> Ключевые слова: теллурид олова, кристалл, отжиг, валентная зона, структурные дефекты DOI: 10.7868/S0002337X17040017 ВВЕДЕНИЕ Теллуриды четвертой группы периодической системы элементов, в том числе SnTe, и их твердые растворы являются перспективными материалами для фото- и термоэлектрических преобразователей. <...> Эти материалы кристаллизуются с отклонением от стехиометрии, и их образцы содержат структурные электрически активные дефекты с концентрацией до ~1020 см–3 [1, 2]. <...> Кроме этого, при получении кристаллов и изготовлении из кристаллических слитков образцов для исследования возникают деформационные и другие дефекты, влияющие на электрические свойства образцов. <...> Поэтому представляет интерес исследование влияния отжига при различных температурах на электрические свойства кристаллов этих материалов. <...> С целью выяснения роли структурных дефектов в электрических свойствах кристаллов SnTe в настоящей работе получены кристаллы теллурида олова и исследовано влияние отжига при температурах 473, 573, 773 К на их электропроводность (σ) и коэффициент термо-ЭДС (α) в интервале температур ~77–300 К. <...> ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Синтез соединения проводился прямым сплавлением исходных компонентов, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью 0.0001 г, в вакууммированных до ~10–2 Па кварцевых ампулах при температуре ~1135 К в течение 6 ч. <...> В процессе синтеза применялось вибрационное перемешивание расплава. <...> Исходными компонентами служили олово марки ОСЧ-000 и теллур марки Т-сЧ, предварительно очищенный от примесей методом зонной плавки. <...> 1 представлена дифрактограмма <...>