41–48 УДК 539.23:546.681'19:542.9 ВЛИЯНИЕ МАГНЕТРОННО НАПЫЛЕННОГО СЛОЯ MnO2 НА КИНЕТИКУ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ InP, СОСТАВ И МОРФОЛОГИЮ СИНТЕЗИРОВАННЫХ ПЛЕНОК © 2017 г. Н. Н. Третьяков, И. Я. Миттова, Б. В. Сладкопевцев, А. А. Самсонов, С. Ю. Андреенко Воронежский государственный университет, Россия, 394018 Воронеж, Университетская пл., д. <...> 1 *e-mail: inorg@chem.vsu.ru Поступила в редакцию 19.10.2015 г. В процессе оптимизации способов эффективного управления процессами формирования наноразмерных функциональных пленок на AIIIBV показано, что модифицирование поверхности InP магнетронно нанесенными наноразмерными (25 нм) слоями MnO2 обусловливает транзитный механизм термооксидирования полупроводника. <...> Положительный эффект состоит в увеличении темпа прироста толщины пленок по сравнению с собственным оксидированием, быстром химическом связывании индия с блокированием его диффузии в пленку и интенсификации процессов фосфатообразования. <...> Изменение состава выращенных пленок по сравнению с собственными приводит к значительному улучшению качества их поверхности (высота рельефа не превышает 20 нм, средний размер зерна 55 нм). <...> Ключевые слова: модифицирование поверхности пленки, диффузия, высота рельефа, размер зерна DOI: 10.7868/S0002337X17010171 ВВЕДЕНИЕ Особый интерес исследователей в области материаловедения полупроводников и диэлектриков к таким соединениям типа АIIIВV, как InP и GaAs, обусловлен тем, что энергетические параметры их монокристаллической фазы очень близки к таковым для кремния, а целый ряд характеристик превосходят Si и Ge. <...> . И, наконец, на основе АIIIВV возможно создание гетероструктур полупроводник–диэлектрик–полупроводник (ПДП), применяемых для преобразования солнечной энергии в электрическую [5]. <...> Однако реализация максимальных характеристик МДП- и ПДП-гетероструктур невозможна без качественных диэлектрических и полупроводниковых пленок оксидов нанометровой толщины с высокой степенью совершенства границ 41 раздела и контролируемых параметров <...>