44–49 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ УДК 544.558 ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА С ПОМОЩЬЮ in situ ОПТИЧЕСКОГО МОНИТОРИНГА © 2017 г. П. <...> Н. И. Лобачевского 2Институт физики микроструктур Российской АН, Россия, 603950, ГСП-105, Нижний Новгород E-mail: pesh@ipmras.ru, tropanova@ipmras.ru Поступила в редакцию 18.02.2016 г. Исследованы особенности травления фоторезиста в индуктивно-связанной плазме в разных режимах, включая режим, используемый для травления структур на основе GaN. <...> Непрерывный in situ контроль толщины фоторезиста, морфологии поверхности и температуры подложки осуществлялся с помощью оптической рефлектометрии и низкокогерентной интерферометрии. <...> Показано, что скорость травления фоторезиста не постоянна, а уменьшается в ходе процесса, что помимо всего прочего связано с разогревом подложки. <...> Выявлено, что импульсный режим травления позволяет исключить развитие шероховатости, наблюдаемое в непрерывном режиме. <...> Сравнение полученных данных о скоростях травления фоторезиста с характерными скоростями травления GaN, проводимого в тех же условиях, позволило определить технологические параметры и толщину фоторезиста, необходимые для проведения указанного процесса травления в оптимальном режиме. <...> DOI: 10.7868/S0544126916060090 ВВЕДЕНИЕ В настоящее время плазменное травление является одним из ключевых этапов в создании микро- и наноструктур и приборов на их основе [1]. <...> Жесткие требования предъявляются к скорости плазменного травления, селективности, профилю структуры, однородности, качеству поверхности после травления, что делает необходимым изучение механизмов травления [2, 3]. <...> В современных технологических линиях все шире используются источники плазмы высокой плотности на основе высокочастотного разряда, формирующие так называемую индуктивно-связанную плазму (ИСП) [1, 4]. <...> Основным преимуществом реакторов с источником ИСП является возможность создавать плазму высокой плотности (более 1011 см–3) при низком давлении <...>