30–33 ТЕХНОЛОГИИ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ УДК 661.862:546.161 ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕКСТУРИРОВАННЫХ ПЛЕНОК НИТРИДА АЛЮМИНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ГАЗОФАЗНОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ © 2017 г. А. Н. Редькин, М. В. Рыжова, Е. Е. Якимов, Д. В. Рощупкин Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской АН, Россия, 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. <...> 6 E-mail: arcadii@iptm.ru Поступила в редакцию 04.07.2016 г. Текстурированные поликристаллические пленки нитрида алюминия на кремниевой подложке выращены методом газофазного химического осаждения с использованием в качестве исходных реагентов металлического алюминия и хлорида аммония. <...> Хорошая текстура и кристаллическое качество полученных пленок подтверждены с помощью растровой электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния и рентгеновской дифракции. <...> DOI: 10.7868/S0544126917010082 ВВЕДЕНИЕ Нитрид алюминия занимает особое положение среди полупроводников типа AIIIBV. <...> Он обладает уникальной комбинацией полезных свойств, среди которых можно назвать очень большую ширину запрещенной зоны (6.2 эВ) и способность к nи p-допированию, хорошие пьезоэлектрические и диэлектрические характеристики, высокую теплопроводность, термическую и химическую устойчивость [1]. <...> Благодаря этому, нитрид алюминия перспективен для применения в различных устройствах, таких как электроакустические преобразователи [2], источники излучения в глубокой УФ-области и коротковолновые лазеры [3], УФ-детекторы [4] и др. <...> Поскольку выращивание монокристаллов AlN сопряжено с существенными сложностями [5], большой интерес привлекают работы по получению высококачественных пленок нитрида алюминия на различных подложках [6, 7]. <...> Из-за отсутствия центральной симметрии в вюрцитной кристаллической структуре некоторые свойства пленок AlN, такие как спонтанная и пьезоэлектрическая поляризация вдоль кристаллографической оси с, существенно зависят от текстуры [8]. <...> Поэтому хорошая текстура пленок <...>