196–201 ДИФРАКЦИЯ И РАССЕЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ УДК 548.4:548.732 КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВНУТРЕННИХ ПОРИСТЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ, ОБРАЗОВАННЫХ ПРИ ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ ГЕЛИЯ © 2017 г. А. А. Ломов, А. В. Мяконьких, Ю. <...> М.В. Ломоносова E-mail: lomov@ftian.ru Поступила в редакцию 12.01.2016 г. Методами высокоразрешающей рентгеновской рефлектометрии, резерфордовского обратного рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии исследованы приповерхностные слои подложек Si(001), подвергнутые плазменно-иммерсионной ионной имплантации гелия с энергией 2–5 кэВ и дозой 5 Ч 1017 см–2. <...> Получено распределение электронной плотности по глубине слоя, определены его элементный и фазовый составы. <...> Установлено, что формируемый ионами гелия приповерхностный слой имеет сложное строение и состоит из верхнего аморфизированного субслоя, под которым находится слой с пористостью 30–35%. <...> Показано, что наиболее резкие границы пористого слоя формируются при меньшей энергии имплантируемых ионов. <...> В частности, при высоких дозах имплантации протонов и ионов гелия в материале подложки могут быть сформированы внутренние пористые слои с пустотами в виде пузырей [2, 3]. <...> При использовании пучковой имплантации для глубокого легирования полупроводников используются частицы с энергией 10–100 кэВ [7]. <...> Для этих целей может быть успешно применен развитый в последнее десятилетие метод плазменно-иммерсионной ионной имплантации (ПИИИ), позволяющий формировать слои толщиной в десятки нанометров при энергии 0.5– 5 кэВ [8]. <...> Появляется возможность, используя протоны и ионы гелия, создавать во внутренних слоях подложек кремния поры-пузыри со стенками из нанокристаллитов кремния. <...> Орешко2 ПИИИ, так же как и пучковой ионной имплантации, следует отнести формирование в материале большого количества как собственных, так и примесных радиационных дефектов. <...> Кинетика их образования, миграция и влияние на структуру формируемых слоев при высокодозной имплантации <...>