3 07 Влияние гамма-излучения малых доз на электрофизические свойства мезопористого кремния © Д.И. Биленко, В.В. Галушка, Э.А. Жаркова, В.И. Сидоров, Д.В. Терин, Е.И. Хасина Саратовский государственный университет, им. <...> Н.Г. Чернышевского E-mail: lab32@mail.ru Поступило в Редакцию 14 июля 2016 г. Исследовано влияние гамма-излучения малых экспозиционных доз (5−40kR) на электрические характеристики структур на основе слоя мезопористого кремния (SiMP). <...> Показано, что в структуре Al/SiMP/p-Si/Al воздействие гаммаквантов приводит к возрастанию проводимости слоя SiMP, смещению уровня Ферми, изменению концентрации ловушек. <...> Обнаружена долговременная память стабильного переключенного состояния в области гистерезиса I−V-характеристики, управляемая дозой излучения. <...> 2017.03.44228.16408 Изучение воздействия гамма-излучения на свойства кристаллических материалов (сплавов и полупроводников) показало, что существует так называемый эффект малых доз (D = 103−105 R), при котором в отличие от больших доз происходит упорядочение структуры и соответственно улучшение электрофизических свойств материала. <...> В частности, уменьшение дефектов в кристалле приводит к повышению проводимости [1], увеличению времени жизни неосновных носителей заряда в облученныхкремниевыхдиодных структурах [2]. <...> Исследования влияния гамма-излучения на свойства пористого кремния (PSi) были направлены в основном на изучение радиационной стойкости, выяснение природы фотолюминесценции (ФЛ) пористого кремния и зависимости последней от интенсивности облучения [3]. <...> На основании измерений рамановского рассеяния и люминесценции при радиационном воздействии ионов Ar+ был сделан вывод о радиационной стойкости пористого кремния по сравнению с монокристаллическим Si, что связано, видимо, с развитой поверхностью PSi и возможностью стока и аннигиляции дефектов. <...> Экспозиционная доза D = 20kR: a — поверхность образца, b —скол. <...> Вработе [4] описан эффект влияния гамма-радиации на структуру пористого кремния <...>