3 07 Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе α-Si : H/Si © А.В. Саченко 1,В.П. Костылев 1, И.О. Соколовский 1, А.В. Бобыль 2,В.Н.Вербицкий 2,Е.И.Теруков 2,3, М. <...> А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 3 НТЦ тонкопленочныхтехнологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия E-mail: sach@isp.kiev.ua Поступило в Редакцию 8 сентября 2016 г. Рассмотрена специфика формирования темновых ВАХ I(V) гетеропереходных солнечных элементов на основе α-Si : H/Si с учетом соотношения между уровнем легирования кремния Nd и величиной избыточной концентрации электронно-дырочных пар n. <...> Показано, что при n Nd ВАХ принципиально отличается от ВАХ классического диода Шокли из-за влияния тыльной поверхности (вследствие дополнительного падения приложенного напряжения). <...> Из сравнения экспериментальных и расчетных зависимостей I(V) получены численные значения факторов идеальности их темновых ВАХ. <...> 2017.03.44224.16473 Темновая ВАХ гетеропереходных солнечных элементов (СЭ) на основе α-Si : H/Si обычно состоит из двух участков, один из которых реализуется при достаточно малых приложенных прямых напряжениях (V 0.5V), а второй — при смещениях 0.5V [1,2]. <...> Вработах [1,2] считалось, что в области малых смещений протекающий ток определяется туннельным механизмом, а в области больших смещений — диффузионным механизмом [3]. <...> Характерными особенностями диффузи29 12 февраля 30 А.В. Саченко, В.П. Костылев. онного механизма, по мнению авторов [1,2], являются близость фактора идеальности ВАХ n к 1, а энергии активации Ea —к ширине запрещенной зоны полупроводника, в котором формируется темновой ток. <...> Кремний является единственным полупроводниковым материалом, широко используемым для фотопреобразования, в котором уже в условиях АМ1.5 может реализоваться нелинейный уровень инъекции, когда избыточная концентрация электронно-дырочных пар в базе СЭ n существенно превышает равновесную концентрацию основных носителей заряда Nd. <...> Это связано с реализацией в нем больших <...>