МАГНИТНОЕ ПРОДОЛЖЕНИЕ КАК ЭФФЕКТИВНЫЙ СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФАЗЫ КВАНТОВОГО АНОМАЛЬНОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ИЗОЛЯТОРАХ (200,00 руб.)

275 – 281  2017 г. 10 марта c Магнитное продолжение как эффективный способ получения фазы квантового аномального эффекта Холла в топологических изоляторах М.М.Отроков∗+, Т.В.Меньщикова∗1), И.П.Русинов∗+, М.Г.Вергниори2), В.М.Кузнецов∗, Е.В.Чулков∗+△ ∗Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия +Санкт-Петербургский государственный университет, 198504 Санкт-Петербург, Россия Department of Applied Physics II, Faculty of Science and Technology, University of the Basque Country UPV/EHU, Apdo. <...> 644, 48080 Bilbao, Spain △Departamento de F´ısica de Materiales UPV/EHU, Centro de F´ısica de Materiales CFM–MPC and Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, 20080 San Sebasti´ an/Donostia, Spain Поступила в редакцию 1 ноября 2016 г. После переработки 9 января 2017 г. Предложен новый и эффективный способ наведения магнетизма на поверхности топологического изолятора, заключающийся в нанесении на нее тонкой пленки изоструктурного магнитного изолятора, имеющего атомный состав, максимально схожий с топологическим материалом. <...> Такой дизайн позволяет избежать формирование сильного интерфейсного потенциала между подсистемами, вследствие чего топологическое состояние свободно проникает в магнитную область, где взаимодействует с обменным полем и испытывает значительное расщепление в точке Дирака. <...> Показано, что применение данного подхода к тонким пленкам тетрадимитоподобного топологического изолятора позволяет реализовать фазу квантового аномального эффекта Холла с размером запрещенной щели в несколько десятков миллиэлектронвольт. <...> DOI: 10.7868/S0370274X17050058 Открытие топологических изоляторов (ТИ) [1–7] обусловило огромный интерес к поиску эффективных способов индуцирования намагниченности в этих материалах без приложения внешнего магнитного поля, что является необходимым условием для наблюдения таких явлений, как квантовый аномальный эффект Холла (КАЭХ) [8–10] или топологический магнитоэлектрический эффект [11]. <...> Один из них – допирование магнитными атомами поверхности [12, 13], приповерхностной области [14–16] или объема [17– 19] ТИ. <...> Другим способом является <...>