230 – 234 2017 г. 25 февраля c Электронные и транспортные свойства гетерофазных соединений на основе MoS2 1) Д.Г.Квашнин+∗2), Л.А.Чернозатонский+ +Институт биохимической физики им. <...> Н.М.Эмануэля РАН, 119334 Москва, Россия ∗Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049 Москва, Россия Поступила в редакцию 7 декабря 2016 г. После переработки 22 декабря 2016 г. В данной работе проведено детальное исследование новых гетерофазных сверхрешеток на основе MoS2 с помощью теории функционала электронной плотности. <...> Показано, что внедрение 1Т-фазы в монослой 2H-MoS2 приводит к формированию электронных уровней вблизи энергии Ферми и формированию квантовых ям в поперечном направлении сверхрешеток. <...> Предложенные гетерофазные латеральные структуры дихалькогенидов переходных металлов имеют большие перспективы для конструирования новых элементов аноэлектроники. <...> Вслед за фуллеренами в 1985 г. были открыты неорганические слоистые структуры дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ), которые также формировали фуллереноподобные структуры [1]. <...> В последнее время двумерные (2D) ДПМ привлекают широкое внимание тем, что являются одним из наиболее перспективных материалов для устройств наноэлектроники, оптики и спинтроники благодаря своим необычным электронным и оптическим свойствам [4]. <...> Одним из наиболее изученных является MoS2, он демонстрирует хорошие электронные и транспортные свойства с наличием непрямой запрещенной зоны 1.2 эВ в многослойном варианте, тогда как монослой MoS2 имеет прямую запрещенную зону в 1.8 эВ, высокую мобильность носителей заряда около 500 см2/(В· с) и высокое on/offотношение до 108 [4, 5]. <...> Тот факт, что кристаллы данного состава могут быть расщеплены до монослоев, делает ДПМ крайне интересными материалами как с практической, так и с фундаментальной точки зрения. <...> Зонная структура монослоев 2H-MoS2 (а) и 1T-MoS2 (b) Письма вЖЭТФ том 105 вып. <...> . На сегодняшний день известно большое количество работ по изучению <...>