170 – 174 2017 г. 10 февраля c Эпитаксиальный рост монокристалла графена на поверхности Ni(111) С.Л.Коваленко+, Т.В.Павлова+, Б.В.Андрюшечкин+, О.И.Канищева+Ч, К.Н.Ельцов+1) +Институт общей физики им. <...> А.М.Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия ЧМосковский физико-технический институт (государственный университет), 141701 Долгопрудный, Россия Поступила в редакцию 14 декабря 2016 г. Методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и теории функционала плотности (ТФП) изучен процесс термопрограммируемого синтеза графена из молекул пропилена на поверхности Ni(111) в условиях сверхвысокого вакуума. <...> Установлено, что на атомных террасах Ni(111) адсорбция пропилена при комнатной температуре приводит к дегидрированию молекул пропилена с формированием одноатомных углеродных цепочек, а на краях атомных ступеней – к полной диссоциации пропилена с последующей диффузией атомов углерода под поверхность. <...> Прогрев такого образца при 500 ◦С вызывает формирование монослойных островков графена как из поверхностных атомных цепочек, так и путем сегрегации атомов углерода, накопленных в верхних атомных слоях никеля. <...> Контролируемым образом удается проследить процесс формирования эпитаксиального монослоя графена вплоть до полного заполнения поверхности никеля. <...> Атомные дефекты, наблюдаемые на поверхности графена, интерпретированы как отдельные атомы никеля, внедренные в моно- или бивакансии графена. <...> Особенностью роста двумерных материалов – слоевых кристаллов с ван-дер-ваальсовой связью между слоями (в частности, графена) на поверхности твердого тела – является то, что для них не обязательна эпитаксиальная связь с подложкой. <...> Достаточным условием зачастую является гладкость подложки, а определяющим – кинетика реакции, при которой имеется преимущественный рост одного двумерного зародыша. <...> Так, в работе [2] было установлено влияние кислорода на кинетику формирования двумерных зародышей графена на поверхности меди, что позволило <...>