Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 542651)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики  / №2 2017

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ МОНОКРИСТАЛЛА ГРАФЕНА НА ПОВЕРХНОСТИ NI(111) (200,00 руб.)

0   0
Первый авторКоваленко
АвторыПавлова Т.В., Андрюшечкин Б.В., Канищева О.И., Ельцов К.Н.
Страниц5
ID593314
АннотацияМетодами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и теории функционала плотности (ТФП) изучен процесс термопрограммируемого синтеза графена из молекул пропилена на поверхности Ni(111) в условиях сверхвысокого вакуума. Установлено, что на атомных террасах Ni(111) адсорбция пропилена при комнатной температуре приводит к дегидрированию молекул пропилена с формированием одноатомных углеродных цепочек, а на краях атомных ступеней – к полной диссоциации пропилена с последующей диффузией атомов углерода под поверхность. Прогрев такого образца при 500 ◦С вызывает формирование монослойных островков графена как из поверхностных атомных цепочек, так и путем сегрегации атомов углерода, накопленных в верхних атомных слоях никеля. Контролируемым образом удается проследить процесс формирования эпитаксиального монослоя графена вплоть до полного заполнения поверхности никеля. Атомные дефекты, наблюдаемые на поверхности графена, интерпретированы как отдельные атомы никеля, внедренные в моно- или бивакансии графена.
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РОСТ МОНОКРИСТАЛЛА ГРАФЕНА НА ПОВЕРХНОСТИ NI(111) [Электронный ресурс] / Коваленко [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №2 .— С. 43-47 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/593314

Предпросмотр (выдержки из произведения)

170 – 174  2017 г. 10 февраля c Эпитаксиальный рост монокристалла графена на поверхности Ni(111) С.Л.Коваленко+, Т.В.Павлова+, Б.В.Андрюшечкин+, О.И.Канищева+Ч, К.Н.Ельцов+1) +Институт общей физики им. <...> А.М.Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия ЧМосковский физико-технический институт (государственный университет), 141701 Долгопрудный, Россия Поступила в редакцию 14 декабря 2016 г. Методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и теории функционала плотности (ТФП) изучен процесс термопрограммируемого синтеза графена из молекул пропилена на поверхности Ni(111) в условиях сверхвысокого вакуума. <...> Установлено, что на атомных террасах Ni(111) адсорбция пропилена при комнатной температуре приводит к дегидрированию молекул пропилена с формированием одноатомных углеродных цепочек, а на краях атомных ступеней – к полной диссоциации пропилена с последующей диффузией атомов углерода под поверхность. <...> Прогрев такого образца при 500 ◦С вызывает формирование монослойных островков графена как из поверхностных атомных цепочек, так и путем сегрегации атомов углерода, накопленных в верхних атомных слоях никеля. <...> Контролируемым образом удается проследить процесс формирования эпитаксиального монослоя графена вплоть до полного заполнения поверхности никеля. <...> Атомные дефекты, наблюдаемые на поверхности графена, интерпретированы как отдельные атомы никеля, внедренные в моно- или бивакансии графена. <...> Особенностью роста двумерных материалов – слоевых кристаллов с ван-дер-ваальсовой связью между слоями (в частности, графена) на поверхности твердого тела – является то, что для них не обязательна эпитаксиальная связь с подложкой. <...> Достаточным условием зачастую является гладкость подложки, а определяющим – кинетика реакции, при которой имеется преимущественный рост одного двумерного зародыша. <...> Так, в работе [2] было установлено влияние кислорода на кинетику формирования двумерных зародышей графена на поверхности меди, что позволило <...>