Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634942)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики  / №2 2017

ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ РЕШЕТКИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ SN2P2S6 С ЗАВИСЯЩИМ ОТ ИНТЕНСИВНОСТИ ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКИ ПЕРИОДОМ (200,00 руб.)

0   0
Первый авторПрудковский
АвторыБрехов К.А., Гришунин К.А., Кузнецов К.А., Мишина Е.Д., Фокин М.С., Китаева Г.Х.
Страниц6
ID593309
АннотацияОбнаружено рассеяние света в форме кольцевых структур, возникающее в кристаллах Sn2P2S6 при распространении излучения мощной лазерной накачки вдоль кристаллографической оси b. Проходящее через кристалл излучение полностью рассеивается в конус, угол раствора которого растет с увеличением мощности накачки и обратимо уменьшается при ее снижении. Наблюдаемый эффект может быть объяснен спонтанным ростом амплитуды фотоиндуцированных объемных дифракционных решеток и рассеянием на них света в направлениях, в которых фазовые набеги фоторефрактивной и дифракционной природы взаимно компенсируют друг друга. Сходный тип рассеяния наблюдался ранее в других фоторефрактивных кристаллах, однако возникновение решеток с периодом, легко варьируемым изменением мощности накачки, демонстрируется впервые
ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ РЕШЕТКИ В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ КРИСТАЛЛЕ SN2P2S6 С ЗАВИСЯЩИМ ОТ ИНТЕНСИВНОСТИ ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКИ ПЕРИОДОМ / П.А. Прудковский [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №2 .— С. 15-20 .— URL: https://rucont.ru/efd/593309 (дата обращения: 02.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

142 – 147  2017 г. 10 февраля c Фотоиндуцированные решетки в сегнетоэлектрическом кристалле Sn2P2S6 с зависящим от интенсивности оптической накачки периодом П.А.Прудковский+1), К.А.Брехов∗, К.А.Гришунин∗, К.А.Кузнецов+, Е.Д.Мишина∗, М.С.Фокин+, Г.Х.Китаева+ +Физический факультет, МГУ им. <...> М.В.Ломоносова, 119991 Москва, Россия ∗Московский технологический университет (МИРЭА), 119434 Москва, Россия Поступила в редакцию 18 июля 2016 г. После переработки 14 декабря 2016 г. Обнаружено рассеяние света в форме кольцевых структур, возникающее в кристаллах Sn2P2S6 при распространении излучения мощной лазерной накачки вдоль кристаллографической оси b. <...> Проходящее через кристалл излучение полностью рассеивается в конус, угол раствора которого растет с увеличением мощности накачки и обратимо уменьшается при ее снижении. <...> Наблюдаемый эффект может быть объяснен спонтанным ростом амплитуды фотоиндуцированных объемных дифракционных решеток и рассеянием на них света в направлениях, в которых фазовые набеги фоторефрактивной и дифракционной природы взаимно компенсируют друг друга. <...> Сходный тип рассеяния наблюдался ранее в других фоторефрактивных кристаллах, однако возникновение решеток с периодом, легко варьируемым изменением мощности накачки, демонстрируется впервые. <...> DOI: 10.7868/S0370274X17030031 Когда при волновом смешении в нелинейной среде возникает излучение, не являющееся результатом сложения или вычитания волновых векторовмод накачки, это всегда вызывает интерес, и, как правило, указывает на развитие некой неустойчивости в среде. <...> В приложении к фоторефрактивным средам интерес возрастает, потому что рождение новых мод света сопровождается записью в среде объемных дифракционных решеток. <...> Хорошо известно, что в фоторефрактивных кристаллах возможен спонтанный рост шумовых решеток, который приводит к развитию так называемого фотоиндуцированного рассеяния света (ФИРС) – рассеяния света в широкий конус света, сопровождающегося помутнением <...>