70–72 УДК 621.317.444 АНИЗОТРОПНЫЕ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ САМОСОВМЕЩЕННОЙ СТРУКТУРЫ © 2017 г. Н. <...> Мазуркин1, ** *, 1Национальный исследовательский университет “МИЭТ”, 124498 Москва, Россия 2Общество с ограниченной ответственностью “СПИНТЕК”, 124527 Москва, Россия *E-mail: mazurkin-n@yandex.ru **E-mail: chinenkov@inbox.ru Поступила в редакцию 09.03.2016 г. Для увеличения чувствительности анизотропных магниторезистивных структур была предложена новая конструкция, в которой форма ферромагнитных элементов повторяет форму немагнитных проводящих шунтов. <...> Численное моделирование, учитывающее неоднородное распределение намагниченности, показало, что самосовмещенные структуры демонстрируют значительное увеличение чувствительности по сравнению с классическими структурами “barber-pole”. <...> Предположительно, такое увеличение связано с неоднородностью распределения намагниченности в самосовмещенных структурах, которая компенсирует влияние неоднородности распределения силовых линий электрического тока. <...> Ключевые слова: анизотропный магниторезистивный эффект, сенсор магнитного поля, магнитные пленки, самосовмещенная структура. <...> DOI: 10.7868/S0207352817030076 ВВЕДЕНИЕ Преобразователи магнитного поля, в основе работы которых лежит анизотропный магниторезистивный эффект (АМР-эффект), представляют большой интерес и широко используются для измерения магнитных полей. <...> Основу таких преобразователей составляют АМР-структуры в виде полоски магнитной пленки, чаще всего пермаллоя, с контактами [1]. <...> Наиболее широкое распространение получила структура, в которой на магнитную полоску из пермаллоя (FeNi) под углом 45° нанесены шунтирующие полоски из проводящего материала (так называемая “зазубренная” структура, или “barber-pole”). <...> Таким способом формируется нечетная передаточная характеристика с достаточно большим линейным участком (рис. <...> Важнейшим параметром АМР-структур, определяющим их применимость для решения тех или иных задач, является <...>