106–109 УДК 621.315.592 ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО р-CdTe НА КАЧЕСТВО ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К НЕМУ © 2017 г. М. <...> Марьянчук1 1Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, 58012, Черновцы, Украина 2Politecnico di Torino, 10129, Torino, Italia 3Helmholtz-Zentrum Berlin fьr Materialien und Energie GmbH, 12489, Berlin, Germany *E-mail: m.solovan@chnu.edu.ua Поступила в редакцию 01.06.2016 г. В данной работе проведено исследование электрических свойств контактов к p-CdTe, сформированных разными методами. <...> Использовались два типа симметричных структур (Cu–Au/р+/рCdTe/р+/Au–Cu, Mo–MoOх/р+/р-CdTe/р+/MoOх–Mo) с р+-областями, полученных разными методами обработки поверхности. <...> С целью определения оптимальных технологических условий для формирования качественных омических контактов к дырочному туллуриду кадмия проводилось исследование электрических свойств симметричных структур. <...> Для сравнения омических характеристик изготовленных электрических контактов исследование проводились при постоянном и переменном токах в широком частотном диапазоне. <...> DOI: 10.7868/S0207352817020147 ВВЕДЕНИЕ Для достижения высокой эффективности работы полупроводниковых приборов важную роль играет эффективный отвод носителей электрического заряда. <...> Они должны обладать омическими свойствами, т.е. линейной вольт-амперной характеристикой (ВАХ) и малым электрическим сопротивлением. <...> Такие условия выполняются при образовании обогащенной на основные носители заряда приконтактной области со стороны полупроводника. <...> Практика показывает, что соотношение между работами выхода электронов из металла и полупроводника не является единственным критерием образования омических контактов [1]. <...> Обязательно нужно уделять внимание поверхностным явлениям, образованию химических соединений в месте контакта, степени легирования полупроводникового материала и др. <...> Теллурид кадмия (CdTe) является одним из наиболее перспективных материалов для производства солнечных элементов из-за его высокого коэффициента поглощения <...>