Кодиров, А. С. Халматов, М. К. Рузибаева, З. Э. Мухтаров, Б. Е. Умирзаков Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз, 100125, Ташкент, Узбекистан, *Е-mail: isakhanov@aie.uz Поступила в редакцию 18.03.2016 г. Исследовано влияние имплантации ионов Co+ на состав поверхности и профили распределения атомов по глубине гетероструктуры Si–Cu(100). <...> После прогрева ионно-имплантированного образца сформировалась пленка CoSi2 толщиной 50–60 Е. <...> Обнаружено, что после ионной имплантации глубина проникновения Cu в Si увеличилась в два раза. <...> DOI: 10.7868/S0207352817010127 ВВЕДЕНИЕ Влияние имплантации ионов металлов на состав и свойства полупроводниковых и диэлектрических пленок в настоящее время хорошо изучено [1–4]. <...> В частности, в случае Si после отжига обнаружено образование нанокристаллических фаз (при дозе D ≤ 1015 ион ⋅ см–2) и нанопленок (при D ≥ 1016 ион ⋅ см–2) типа МеSi2. <...> Ширина запрещенной зоны этих пленок составляет 0.5– 0.7 эВ, а удельное сопротивление ρ = (30–50) Ч Ч10–6 Ом ⋅ см. Влияние имплантации ионов на свойства свободных пленок Si практически не исследовано. <...> Ранее нами в [5] исследовались состав и структура нанопленки Si, выращенной на поверхности свободной пленки Cu(100). <...> Было показано, что на границе Si–Cu вследствиe взаимодиффузии образуется переходной слой толщиной 80–100 Е. <...> После прогрева (Т ≈ 800 K) на границе формируется пленка примерного состава: Cu2Si3, следовательно, образуется трехслойная система типа Si–Cu2Si3–Cu. <...> Пленка кремния имеет поликристаллическую структуру, максимальная глубина диффузии Cu в Si составляет 100–150 Е. <...> В данной работе приводятся экспериментальные результаты по влиянию имплантации ионов Co+ на состав поверхности и профили распределения атомов по глубине гетеропленок Si–Cu (100). <...> Пленку кремния осаждали на поверхность пленки Cu(100) распылением Si методом электронной бомбардировки. <...> Толщину пленок Cu и Si определяли по известной скорости нанесения, и фиксированному времени осаждения. <...> Скорость нанесения пленки Cu составляла ~20 Е/с, а скорость <...>