Моргунов1, 2, *E-mail: morgunov2005@yandex.ru Поступила в редакцию 06.01.2016 г. Проведены систематические исследования электронного состояния приповерхностных слоев в органическом полупроводнике (DOEO)4[HgBr4] ⋅ TCE методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии. <...> При температурах ниже 50– 70 K обнаружен переход в антиферромагнитное состояние во включениях, имеющих иную структуры по сравнению с объемом кристалла. <...> По данным просвечивающей электронной микроскопии в образцах присутствуют два типа антиферромагнитных включений с размерами 2–5 и 100–400 нм. <...> Разделены вклады антиферромагнитных включений, спинов локализованных и свободных носителей заряда (дырок) в суммарный магнитный момент кристалла. <...> DOI: 10.7868/S0207352816110093 ВВЕДЕНИЕ Органические металлы и полупроводники являются сильно коррелированными ферми-системами, проявляющими уникальные физические свойства: зарядовые и спиновые возбуждения, необычные электрические и оптические свойства [1, 2]. <...> Сильные электрон-электронные корреляции и электрон-фононное взаимодействие, возникающие из-за низкоразмерной пространственной структуры слоистых органических проводников, приводят к фазовым переходам металл– диэлектрик или металл–полупроводник и к локализации носителей заряда [3]. <...> В настоящей работе исследованы монокристаллы нового квазидвумерного органического полупроводника (DOEO)4[HgBr4] ⋅ TCE (DOEO – 1,4-(диоксандиил-2,3-дитио)этилендитиотетратиафульвален; TCE – 1,1,2-трихлорэтан). <...> Синтез, кристаллическая структура, электрические, оптические и высокочастотные магнитные свойства органического полупроводника (DOEO)4[HgBr4] ⋅ TCE были описаны ранее в работах [4–8]. <...> Методом спектроскопии комбинационного рассеяния было установлено, что при температуре 140 K происходит изменение характера подвижности носителей заряда в кристаллах: с квазиодномерного (при температурах ниже 140 K) на квазидвумерный (при температурах выше 140 K) [4]. <...> Понижение <...>