137–142 ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ УДК 621.539.219.86 ТОНКОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GaInSbAsPBi/GaSb, ПОЛУЧЕННЫЕ ИЗ ЖИДКОЙ ФАЗЫ В ПОЛЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО ГРАДИЕНТА © 2017 г. Д. <...> Пащенко1 1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону 2Южно-Российский государственный политехнический университет, Новочеркасск E-mail: lunin_ls@mail.ru Поступила в редакцию 16.11.2015 г. Обсуждаются результаты выращивания тонких эпитаксиальных слоев GaInSbAsPBi на подложке GaSb из жидкой висмутсодержащей зоны в поле температурного градиента. <...> DOI: 10.7868/S0023476117010040 ВВЕДЕНИЕ Развитие электроники в значительной степени связано с достижениями физики и технологии новых материалов, в частности сложных кристаллических полупроводников с заданной энергетической структурой [1–3]. <...> Интерес к гетероструктурам на основе многокомпонентных твердых растворов, выращенных на основе антимонида галлия, объясняется их перспективностью с точки зрения создания оптоэлектронных приборов для спектрального диапазона 0.8–5 мкм [4–6]. <...> Однако получение таких гетероструктур сопряжено с рядом трудностей: наличие обширных областей несмешиваемости; высокая химическая активность поверхности таких эпитаксиальных слоев, приводящая к деградации; наличие областей нестехиометрических составов; повышенная дефектность [6, 7]. <...> В связи с этим актуальной проблемой является разработка новых методов выращивания многокомпонентных эпитаксиальных слоев и приборов на их основе. <...> Одним из таких методов получения полупроводниковых гетероструктур является зонная перекристаллизация в поле температурного градиента [8]. <...> При использовании метода зонной перекристаллизации в поле градиента температуры для получения эпитаксиальных слоев твердых растворов GaInPAsSbBi на подложках GaSb необходимо использовать экспериментальные данные фазовой диаграммы, приведенной на рис. <...> Известно, что использование в качестве растворителя галлия или индия приводит к интенсивному подрастворению подложки GaSb многокомпонентной жидкой <...>