124–129 ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ УДК 621.315.592 ВЫРАЩИВАНИЕ УЛЬТРАТОНКИХ БЕЗДВОЙНИКОВЫХ ПЛЕНОК YBa2Cu3O7– x b-ОРИЕНТАЦИИ © 2017 г. Е. А. Степанцов, Р. <...> А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, Москва, Россия 1Технологический университет Чалмерса, Гетеборг, Швеция E-mail: stepantsov@ns.crys.ras.ru Поступила в редакцию 24.09.2015 г. Выращены эпитаксиальные бездвойниковые пленки YBa2Cu3O7– x толщиной менее 40 нм b-ориентации. <...> Пленки выращены на поверхности кристаллов SrLaGaO4 ориентации (100). <...> По температурной зависимости сопротивления определена температура начала перехода в сверхпроводящее состояние – 90 K, ширина перехода составляла 4 K. <...> Предварительно на подложке (100)SrLaGaO4 путем высокочастотного магнетронного распыления в газовой смеси Ar и O2 выращивали буферный слой PrBa2Cu3O7– x ориентации (100) при непрерывном и монотонном повышении температуры от 660 до 830°С. <...> Основную пленку YBa2Cu3O7– x выращивали на поверхности буферного слоя методом лазерного импульсного осаждения в среде кислорода при фиксированной температуре 800°С. <...> Проведенное рентгенодифракционное исследование структуры выращенных пленок YBa2Cu3O7– x показало их монокристаллический характер и отсутствие в них включений чужеродных фаз, а также доменов другой ориентации. <...> В дальнейшем синтезировались соединения с температурами перехода в сверхпроводящее состояние вплоть до 138 K [2]. <...> В основном этот материал используется в виде тонких пленок для разработки приборов криогенной электроники [3]. <...> Обусловлено это их большей перспективностью по сравнению с с-ориентированными пленками для создания ряда квантовых приборов, например джозефсоновских переходов типа “сэндвич”, вследствие того, что длина когерентности в направлениях, перпендикулярных оси с, значительно больше (∼1.5–2.0 нм), чем вдоль нее (∼0.2–0.3 нм) [13, 14]. <...> Подробно исследовались уменьшение и исчезновение с-ориентированных доменов в таких пленках в зависимости от условий выращивания [5, 14]. <...> В [15] продемонстрировано выращивание <...>