120–123 ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ УДК 539.231:535.016 СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ АТОМНО-ГЛАДКОЙ (001) ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ ПЕНТАОКСИДА ВАНАДИЯ V2O5 © 2017 г. А. Э. Муслимов, А. В. Буташин, В. М. Каневский Институт кристаллографии им. <...> А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, Москва E-mail: amuslimov@mail.ru Поступила в редакцию 11.03.2016 г. Проведено исследование поверхности (001) скола кристалла пентаоксида ванадия V2O5 методом сканирующей туннельной микроскопии. <...> Результаты показали, что поверхность не перестраивается, а полученное изображение позволяет с высокой точностью определить геометрические параметры решетки кристалла. <...> На поверхности (001) скола кристалла образуется наноструктура, представляющая собой атомно-гладкие ступени высотой, кратной параметру ячейки с = 4.37 Е. <...> Полученные результаты позволяют использовать сколы кристалла пентаоксида ванадия V2O5 в качестве эталона при калибровке сканирующего туннельного микроскопа в атмосферных условиях как в направлении вдоль поверхности (х, y), так и по нормали к поверхности образца (вдоль оси z). <...> Установлено, что поверхность террас не является “идеально” атомно-гладкой, и ее шероховатость может быть оценена величиной ~0.5 Е. <...> Это может вносить дополнительную погрешность в процессе калибровки микроскопа по z-координате. <...> Как известно [1–3], такие задачи применительно к проводящим объектам наиболее оперативно можно решить с использованием сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). <...> Однако особенности применения данной методики сопровождаются возникновением погрешности, связанной с зависимостью туннельного тока в сканирующем микроскопе от плотности электронных состояний ρ( , ) и ее изменениями, вызываемыми локализацией электронных состояний в области контакта [4]. <...> С учетом этого предполагается, что наиболее объективные топографические данные исследуемой поверхности могут быть получены при проведении измерений методом СТМ двумерных решеток кристаллов <...>