50–54 УДК 530.182:621.385.6 ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ФОРМЫ И ПОЛОЖЕНИЯ ВОЗМУЩЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СВЕРХРЕШЕТКЕ © 2017 г. А. <...> ” 3Department of Physics, Loughborough University, LE11 3TU Loughborough, United Kingdom *E-mail: feanorberserk@gmail.com Исследовано влияние возмущения концентрации легирующей примеси на характеристики тока в полупроводниковой сверхрешетке. <...> Показано, что характеристики тока зависят от положения и формы возмущения. <...> Возмущение оказывает большее влияние вблизи эмиттера сверхрешетки. <...> Эффект возрастает с ростом интеграла профиля концентрации и слабо зависит от формы самого профиля. <...> DOI: 10.7868/S0367676517010069 ВВЕДЕНИЕ Полупроводниковые сверхрешетки представляют собой сложные наноструктуры, содержащие несколько чередующихся тонких (порядка 10 нм) слоев различных полупроводниковых материалов [1, 2]. <...> Данные структуры используют для исследования разнообразных квантово-механических эффектов, связанных с резонансным туннелированием и блоховскими колебаниями, при этом сверхрешетки являются уникальным полигоном для изучения и понимания процессов физики твердого тела [3, 4]. <...> Кроме того, сверхбыстрые блоховские колебания и возникающие при приложении к сверхрешетке постоянного напряжения пространственно-временные электронные структуры, называемые доменами (по аналогии с доменами в диоде Ганна [5, 6]), делают сверхрешетку перспективным элементом для генерации, усиления и детектирования высокочастотных (до нескольких ТГц) сигналов. <...> Прохождение доменов через полупроводниковую сверхрешетку приводит к возникновению колебаний тока, протекающего через структуру. <...> Следует отметить, что в настоящее время все больше внимания исследователей уделяется рассмотрению транспорта электронов через полупроводниковую сверхрешетку с позиций нелинейной динамики, что позволяет выявлять и объяснять раз50 , О. <...> Известно, что на электронный транспорт в сверхрешетке оказывает влияние концентрация легирующей <...>