41–44 УДК 621.383.5 О СНИЖЕНИИ КОНТРАСТА ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПО ПЛОЩАДИ НЕОДНОРОДНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР p+-n(p)-n+-ТИПА ИЗ-ЗА ТОКОВ ПО СЛОЯМ p+- и n+-ТИПА © 2017 г. О. Г. Кошелев Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова” E-mail: scon282@phys.msu.ru Показано, что фототоки по p+- и n+-слоям локально зондируемой неоднородной по площади p+-n(p)-n+-кремниевой структуры могут привести к существенному снижению контраста СВЧ-фотопроводимости по сравнению с истинным. <...> В качестве материала для изготовления солнечных элементов (СЭ) чаще всего используется кремний. <...> КПД такого СЭ (его основного параметра) определяется прежде всего фоточувствительностью пластины кремния, из которой он изготавливается. <...> Наличие участков пластины с низкой фоточувствительностью приводит к заметному снижению КПД [1], поэтому на производстве осуществляется контроль их однородности, т.е. измерения контраста фотопроводимости по площади пластины. <...> Этот бесконтактный метод основан на измерении времени спада фотопроводимости после ее возбуждения импульсом света. <...> Разрешающая способность такого метода определяется площадью наименьшей из областей – освещаемой или зондируемой СВЧ-волной. <...> Последующий контроль качества СЭ проводится только после окончательного его изготовления [5]. <...> Однако возникновение областей с низкой фоточувствительностью возможно не только при выращивании слитка кремния, но и при из41 готовлении потенциального барьера. <...> В случае классического СЭ из монокристаллического кремния им является p–n-переход, а в случае CЭ типа HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) – гетеропереход между легированным аморфным кремнием и кристаллическим кремнием, разделенных тонким (толщиной несколько нанометров) слоем нелегированного аморфного кремния [5] (такие CЭ обладают бульшим КПД, чем монокристаллические, и поэтому вытесняют последние). <...> Следовательно, представляет <...>