767–775 2017 c РАССЕЯНИЕ ЭКСИТОННОГО ПОЛЯРИТОНА НА ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРАХ В GaAs Д.А. <...> Зайцев a*,А. В.Кавокин b,c,Р.П.Сейсян a** a Физико-технический институт им. <...> А. Ф. Иоффе Российской академии наук 194021, Санкт-Петербург, Россия b Санкт-Петербургский государственный университет 198504, Санкт-Петербург, Россия c University of Southampton Highfield, Southampton, SO171BJ, UK Поступила в редакцию 18 октября 2016 г. Рассеяние экситонного поляритона примесными центрами при низких температурах мало исследовано, несмотря на его существенную роль в процессах, сопровождающих бозе-эйнштейновскую конденсацию экситонного поляритона. <...> С целью изучения особенностей взаимодействия экситонного поляритона с примесными центрами мы предприняли изучение интегрального поглощения основного состояния n0 =1 экситона в GaAs в тонких пластинах микронной толщины, имеющих заметное оптическое пропускание. <...> Сравнительное исследование пропускания в окрестности экситонного резонанса, выполненное на 15 образцах кристаллических пластин GaAs с различной концентрацией примеси N, обнаружило неожиданную закономерность. <...> В то время как N возрастает почти на пять десятичных порядков величины, нормализованное спектрально-интегрированное поглощение света обнаруживает слабый рост, подчиняясь степенной зависимости от концентрации Nm,где m =1/6. <...> Показано, что эта зависимость является свидетельством диффузионного механизма распространения экситонного поляритона сквозь толщу полупроводника, которое присутствует наряду с баллистическим проникновением света сквозь образец. <...> ВВЕДЕНИЕ Рассеяние экситонного поляритона (ЭП) на примесных центрах мало исследовано, несмотря на его существенную роль в процессах, сопровождающих бозе-конденсацию ЭП и лазерную генерацию конденсата. <...> Одним из наиболее информативных методов изучения диссипативных процессов, сопровождающих фазовые превращения и распространение ЭП, является регистрация и анализ интегрального поглощения (ИП) света в линии <...>