Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635050)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Журнал экспериментальной и теоретической физики  / №4 2017

ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ОТЖИГА ДЛЯ УСИЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ZnO, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ MOCVD (200,00 руб.)

0   0
Первый авторМахмуд
АвторыАли А., Аршад М.И., Амин Н., Муртаза С., Рабиа С.
Страниц4
ID592351
АннотацияПоказана возможность оптимизации температуры отжига для усиления термоэлектрических свойств ZnO.ТонкиепленкиZnO выращивались на сапфировой подложке методом осаждения из газообразной фазы (MOCVD). Выращенные пленки отжигались в атмосфере кислорода в течение часа при температурах 600–1000 ◦Ссшагом100 ◦С. Измерение термоэлектрического эффекта при комнатной температуре показало, что коэффициент Зеебека неотожженного образца составляет 152 мкВ/K при концентрации носителей ND ∼ 1.46 · 1018 см3. Коэффициент Зеебека пленок увеличивается с 212 до 415 мкВ/K при отжиге до T = 900 ◦С, а затем уменьшается при T = 1000 ◦С. Расчет фактора мощности показал, что он имеет тенденцию к увеличению с ростом температуры отжига. Данное наблюдение объясняется в рамках теоретического подхода, связывающего усиление термоэлектрических свойств с улучшением структуры тонких пленок ZnO. Измерение эффекта Холла и данные по фотолюминесценции убедительно подтверждают предлагаемое объяснение.
ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ОТЖИГА ДЛЯ УСИЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ZnO, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ MOCVD / К. Махмуд [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики .— 2017 .— №4 .— С. 59-62 .— URL: https://rucont.ru/efd/592351 (дата обращения: 07.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

682–685  2017 c ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ОТЖИГА ДЛЯ УСИЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ZnO, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ MOCVD К. <...> АзарХан b a Университет Говермент Колледж 38000, Фейсалабад, Пакистан b Исламский университет 63100, Бахавалпур, Пакистан Поступила в редакцию 8 августа 2016 г. (Перевод с английского) INVESTIGATION OF OPTIMAL ANNEALING TEMPERATURE FOR ENHANCED THERMOELECTRIC PROPERTIES OF MOCVD GROWN ZnO K.Mahmood, A.Ali, M. <...> Azhar Khan Показана возможность оптимизации температуры отжига для усиления термоэлектрических свойств ZnO.Тонкие пленки ZnO выращивались на сапфировой подложке методом осаждения из газообразной фазы (MOCVD). <...> Выращенные пленки отжигались в атмосфере кислорода в течение часа при температурах 600–1000 ◦Сс шагом 100 ◦С. <...> Измерение термоэлектрического эффекта при комнатной температуре показало, что коэффициент Зеебека неотожженного образца составляет 152 мкВ/K при концентрации носителей ND ∼ 1.46 · 1018 см3. <...> Расчет фактора мощности показал, что он имеет тенденцию к увеличению с ростом температуры отжига. <...> Данное наблюдение объясняется в рамках теоретического подхода, связывающего усиление термоэлектрических свойств с улучшением структуры тонких пленок ZnO. <...> Измерение эффекта Холла и данные по фотолюминесценции убедительно подтверждают предлагаемое объяснение. <...> Термоэлектричество является одной из наиболее современных технологий, в которой преобразование энергии осуществляется за счет использования термоэлектрических материалов [1–3]. <...> В качестве таких материалов рассматриваются сплавы Si–Ge, скуттерудиты, клатраты и сложные халькогениды [4, 5]. <...> Эффективность термоэлектрических материалов характеризуется безразмерной термоэлектрической добротностью (ZT), определяемой следующим образом [6]: ZT = S2σ κ T, (1) ЖЭТФ, том 151, вып. <...> Для применений при высоких температурах рассматриваются полупроводники на основе оксидов. <...> Оксиды металлов проявляют стабильность при высокой температуре в воздухе, в то время как с ростом градиента температуры увеличиваются <...>