691–695 ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ И НАНОМАТЕРИАЛОВ УДК 546.643 : 541 МОЛЕКУЛЯРНОЕ НАСЛАИВАНИЕ ОКСИДОВ КРЕМНИЯ И АЛЮМИНИЯ НА БИНАРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ © 2017 г. Ю. К. Ежовский Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет) Е-mail: office@technolog.edu.ru Поступила в редакцию 22.03.2016 г. Рассмотрен процесс формирования нанослоев оксидов кремния и алюминия, полученных методом молекулярного наслаивания (атомно-слоевого осаждения – ALD-технология) на поверхности GaAs, InAs и InSb. <...> Определены условия слоевого механизма роста поверхностных наноструктур и проведена оценка их некоторых диэлектрических характеристик. <...> Ключевые слова: молекулярное наслаивание, нанослои оксидов кремния, алюминия DOI: 10.7868/S0044453717040082 Создание различного типа наноустройств представляет собой задачу, для решения которой необходимо разработать методы синтеза соответствующих материалов и изучить фундаментальные закономерности поведения нанообъектов [1]. <...> Особое место занимает электронная техника, где интенсивно ведутся разработки новых технологий, позволяющих создавать твердотельные наноструктуры на атомно-молекулярном уровне. <...> Метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) [2] позволил решить ряд важнейших задач микроэлектроники, однако высокая стоимость оборудования МЛЭ и проблемы групповой обработки изделий, вызвали развитие альтернативных методов. <...> Использующие газофазную подачу реагента и имеющие самоорганизующийся характер такие процессы позволяют осуществлять групповую обработку изделий, что обеспечивает их рентабельность. <...> В настоящей работе представлены результаты исследований процессов синтеза и основных диэлектрических характеристик нанослоев SiO2, и Al2O3, полученных методом молекулярного наслаивания на поверхности полупроводников GaAs, InAs и InSb, широко используемых в оптоэлектронике. <...> ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Использование поверхностных химических реакций позволяет осуществлять синтез <...>