3 Структурные и оптические свойства нанонитей карбида кремния, полученных высокотемпературной карбидизацией кремниевых наноструктур © А.В. Павликов 1,Н. <...> С.П. Королева (национальный исследовательский университет), 443086 Самара, Россия 3 Томский государственный университет (национальный исследовательский университет), 634050 Томск, Россия E-mail: pavlikov@physics.msu.ru Получена 15 июля 2016 г. Принята к печати 3 августа 2016 г. В процессе высокотемпературной карбонизации пористого кремния и кремниевых нанонитей получены нитевидные структуры карбида кремния (SiC) сдиаметрами 40−50 нм, которые были исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света и спектроскопии инфракрасного отражения. <...> Данные рентгеноструктурного анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света свидетельствуют, что в исследованных образцах доминирует кубический политип 3C-SiC. <...> Форма спектра инфракрасного отражения в области полосы остаточных лучей 800−900 см−1 указывает на присутствие свободных носителей заряда. <...> Обсуждается возможность использования полученных нанонитей SiC в устройствах микроэлектроники, фотоники и газовой сенсорики. <...> Введение Карбид кремния (SiC), благодаря ряду уникальных свойств — большой ширине запрещенной зоны (2.3−3.3 эВ для различных политипов),чрезвычайно высокому критическому полю лавинного пробоя (2−5МВ/см), теплопроводности (3−5Вт/см · К),превосходящей при комнатной температуре теплопроводность меди, химической и радиационной стойкости (за счет высокой энергии дефектообразования 25−35эВ) — является востребованным материалом для применения в различных областях современной электроники. <...> Среди политипов SiC наиболее изучены 3C-SiC, 4H-SiC и 6H-SiC, которые различаются шириной запрещенной зоны, электрофизическими свойствами, в частности подвижностью носителей заряда, а также оптическими параметрами. <...> Те модификации SiC, которые используются в электронных <...>