3 Особенности вольт-фарадных характеристик МДП-структуры Cu−SiO2−p-InSb © Р.А. Алиев 1,Г.М. Гаджиев 1,М.М.Гаджиалиев 1,А.М.Исмаилов 1,2, З.Ш. Пирмагомедов 1 1 Институт физики им. <...> Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия 2 Дагестанский государственный университет, 367003, Махачкала, Россия E-mail: hadzhyGM@mail.ru Получена 25 февраля 2016 г. Принята к печати 25 мая 2016 г. Измерены вольт-фарадные характеристики и проводимость МДП-структур на основе InSb при разных частотах измерительного сигнала с целью изучения влияния условий технологического синтеза на емкостные свойства данных структур. <...> Обсуждается влияние положительного, встроенного в диэлектрик, заряда на измеренные характеристики образца, которое проявляется в виде резкого ”переключения“ емкости при смене полярности слабополевого внешнего воздействия (E < 106 В/см). <...> Стабильность и надежность длительно функционирующих МДП-приборов зависят от таких важных характеристик как заряд окисла и плотность поверхностных состояний [3,4]. <...> Эти характеристики в свою очередь очень сильно зависят от природы диэлектрика и технологических приемов его нанесения на полупроводник при изготовлении МДП-структур [5–7]. <...> Введение Для области спектра (2−5мкм) наиболее подходякачества МДП-элементов является исследование их вольт-фарадных характеристик (ВФХ). <...> На вид ВФХ МДП-структур на основе InSb существенное влияние оказывают встроенный в диэлектрик (на стадии его технологического роста) заряд и его изменение в процессе внешнеполевого воздействия на структуру [8]. <...> Причем этот вид может отличаться от образца к образцу даже для образцов из одной технологической серии, что, в большинстве случаев, обусловлено качеством поверхности полупроводника. <...> Поэтому выяснение физических механизмов накопления заряда в диэлектрике МДП-устройств под действием внешнего электрического поля все еще остается важной задачей физики поверхности полупроводников <...>