3 Фазовая модуляция излучения среднего ИК диапазона в структурах с двойными квантовыми ямами в продольном электрическом поле © Р.М. Балагула, М.Я. Винниченко, И.C. <...> Махов, А.Н. Софронов, Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия E-mail: sofronov@rphf.spbstu.ru Получена 7 сентября 2016 г. Принята к печати 19 сентября 2016 г. Проведены исследования модуляции поляризованного света структурами с двойными туннельносвязанными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в сильных продольных электрических полях. <...> Представлены результаты экспериментального исследования спектра изменения показателя преломления структуры продольным электрическим полем в области межподзонного резонанса. <...> Введение Структура с системой квантовых ям в спектральной области вблизи резонансного межподзонного поглощения света свободными носителями заряда подобна одноосному кристаллу из-за разного вклада свободных носителей заряда в диэлектрическую проницаемость для света с вектором напряженности поля электромагнитной волны вдоль оси роста структуры и перпендикулярно ей (с поляризацией света вдоль оси роста структуры OZ и в плоскости структуры). <...> Тензор диэлектрической проницаемости имеет при этом ненулевые диагональные компоненты εxx = εyy и εzz,где x и y —направления в плоскости слоев квантовых ям. <...> Микроскопически разница компонентов тензора диэлектрической проницаемости связана с вкладом электронных межподзонных переходов, разрешенных только для света с ненулевой z -компонентой вектора поляризации. <...> В общем случае приложение сильного продольного электрического поля снижает симметрию системы так, что все три диагональных компонента тензора диэлектрической проницаемости становятся различными, а структура — оптически двуосной. <...> Однако в большинстве практических случаев прикладываемое электрическое поле влияет только на значения компонент тензора диэлектрической проницаемости <...>