3 Размерные и температурные зависимости ширины запрещенной зоны квантовых точек селенида кадмия во фторофосфатных стеклах © Ж.О. Липатова,E.B.Колобкова,A.H. <...> Бабкина,H.B.Никоноров Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия E-mail: zluka_yo@mail.ru Получена 18 мая 2016 г. Принята к печати 17 августа 2016 г. Исследованы температурные и размерные зависимости изменения ширины запрещенной зоны квантовых точек CdSe с диаметрами 2.4, 4.0 и 5.2 нм во фторофосфатных стеклах. <...> Показано, что для квантовых точек температурный коэффициент смещения ширины запрещенной зоны dEg/dT отличается от значения для объемного полупроводника и строго зависит от размера наночастиц. <...> Показано, что каждый энергетический переход квантовых точек обладает своим значением температурного коэффициента энергии dE/dT. <...> Введение Оптические и электронные свойства полупроводниковых наноструктур (квантовых точек) активно изучались в последние 20 лет [1,2]. <...> Квантовые точки вследствие квантово-размерных эффектов имеют дискретную структуру энергетического спектра и проявляют голубой сдвиг в оптичеcких спектрах в сравнении с объемным полупроводником. <...> Оптические свойства квантовых точек халькогенидов кадмия активно исследовались изза их интенсивной люминесценции в видимой области спектра [3]. <...> Стекла с квантовыми точками CdSe обладают нелинейной восприимчивостью третьего порядка и могут использоваться в качестве pамановских усилителей [4] и оптических излучателей [5]. <...> Важной характеристикой материала является температурный коэффициент ширины запрещенной зоны dEg/dT. <...> Для полупроводниковых монокристаллов температурная зависимость ширины запрещенной зоны обусловлена в основном термическим расширением решетки и электрон-фононным взаимодействием [6–9]. <...> Для наноразмерных структур вклад в dEg/dT также вносит взаимодействие межзонных состояний. <...> В зависимости от материала и размера квантовых точек изменение температурного коэффициента dEg/dT происходит поразному. <...> Известно <...>