3 Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP сориентациями (100) и (411)A © Г.Б. Галиев 1,М.М. Грехов 3,Г.Х.Китаева 2,Е.А.Климов 1,А.Н.Клочков 1,О.С. Коленцова 3, В. <...> М.В. Ломоносова (физический факультет), 119991 Москва, Россия 3 Национальный исследовательский ядерный университет ”МИФИ“ 115409 Москва, Россия E-mail: galiev_galib@mail.ru Получена 10 мая 2016 г. Принята к печати 18 мая 2016 г. Методом терагерцевой спектроскопии временн´ ого разрешения исследованы спектр и волновые формы импульсов широкополосного терагерцевого излучения, генерируемых низкотемпературными эпитаксиальными пленками In0.53Ga0.47As при накачке фемтосекундными лазерными импульсами. <...> Пленки In0.53Ga0.47As были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 200◦Cиприразличных давлениях мышьяка на подложках InP с ориентацией (100) и впервые на подложках InP с ориентацией (411)A. <...> Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и их структурное совершенство с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. <...> Обнаружено, что амплитуда терагерцевого излучения от слоев LT-InGaAs на подложках InP (411)Aв3−5раз больше,чем от таких же слоев на подложках InP (100). <...> Введение В последние годы широко исследуются фотопроводящие антенны для приема и передачи электромагнитных сигналов терагерцевого диапазона частот (от 100 ГГц до 10 ТГц) на основе эпитаксиальных соединений АIIIВV, выращенных в низкотемпературном режиме. <...> Одним из первых таких материалов был низкотемпературный GaAs (low-temperature GaAs, LT-GaAs). <...> Он обладает ультракоротким временем жизни фотовозбужденных носителей заряда, большим темновым удельным сопротивлением и хорошей подвижностью электронов [1]. <...> На основе LT-GaAs сделано большое количество действующих устройств [2]. <...> Низкотемпературный рост приводит к встраиванию избыточных атомов мышьяка As в кристаллическую решетку LT-GaAs и к образованию дефектов: антиструктурных дефектов — атом мышьяка <...>