2 Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p−n-перехода © Л.П. Авакянц, А.Э. Асланян, П.Ю. Боков ¶,К.Ю.Положенцев, А.В. Червяков Московский государственный университет им. <...> М.В. Ломоносова (физический факультет), 119991 Москва, Россия ¶ E-mail: pavel_bokov@physics.msu.ru Получена 12 апреля 2016 г. Принята к печати 20 апреля 2016 г. В спектрах электроотражения гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN обнаружена линия E = 2.77 эВ шириной = 88 мэВ, связанная с межзонными переходами в области множественных квантовых ям активной области. <...> При уменьшении амплитуды модулирующего напряжения от 2.9 до 0.4В наблюдается расщепление этой линии на две с энергиями E1 = 2.55 эВ и E2 = 2.75 эВ, ширины которых составляют 1 = 66мэВ и 2 = 74мэВ соответственно. <...> Это указывает на то, что эти линии обусловлены межзонными переходами в отдельных квантовых ямах активной области. <...> Различие энергий межзонных переходов E1 и E2 в идентичных квантовых ямах активной области связано с тем, что квантовые ямы помещены в неоднородное электрическое поле. <...> В работе оценивались модули напряженности электрических полей в отдельных квантовых ямах активной области гетероструктуры. <...> Введение Излучающей частью современных светодиодных гетероструктур является помещенная в p−n-переходе активная область, которая содержит одну или несколько квантовых ям [1]. <...> Квантовые ямы аккумулируют инжектируемые через p−n-переход носители заряда, увеличивая вероятность излучательной рекомбинации в активной области. <...> Увеличение числа квантовых ям необходимо для уменьшения концентрации носителей в отдельных ямах, так как их переизбыток приводит к росту вероятности оже-рекомбинации ([1], c. <...> Пространственное разделение электронов и дырок в квантовой яме, обусловленное наличием пьезоэлектрических полей, уменьшает вероятность излучательной рекомбинации [3,4]. <...> Вработе [5] показано, что в системе множественных квантовых ям (МКЯ) основную роль в формировании <...>