Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634620)
Контекстум
.
Физика и техника полупроводников  / №2 2017

ВЛИЯНИЕ ТИПА И СТЕПЕНИ ЛЕГИРОВАНИЯ НА МОРФОЛОГИЮ POR-SI, ПОЛУЧЕННОГО ГАЛЬВАНИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ (200,00 руб.)

0   0
Первый авторПятилова
АвторыГаврилов С.А., Шиляева Ю.И., Павлов А.А., Шаман Ю.П., Дудин А.А.
Страниц5
ID591936
АннотацияИзучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C2H5OH/H2O2 монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование por-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик por-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины.
ВЛИЯНИЕ ТИПА И СТЕПЕНИ ЛЕГИРОВАНИЯ НА МОРФОЛОГИЮ POR-SI, ПОЛУЧЕННОГО ГАЛЬВАНИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ / О.В. Пятилова [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №2 .— С. 42-46 .— URL: https://rucont.ru/efd/591936 (дата обращения: 20.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

2 Влияние типа и степени легирования на морфологию por-Si, полученного гальваническим травлением © О. <...> Пятилова1,С.А.Гаврилов 1,Ю.И.Шиляева 1,А.А.Павлов 2, Ю.П. Шаман 3,А.А.Дудин 2 1 Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“, 124498 Москва, Зеленоград, Россия 2 Институт нанотехнологий микроэлектрики Российской академии наук (ИНМЭ РАН), 119991 Москва, Россия 3 Научно-производственный комплекс ”Технологический центр“ МИЭТ, 124498 Москва, Зеленоград, Россия E-mail: 5ilova87@gmail.com Получена 17 мая 2016 г. Принята к печати 9 июня 2016 г. Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C2H5OH/H2O2 монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. <...> Проведено исследование por-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. <...> Установлены зависимости морфологических характеристик por-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины. <...> Введение Пористый кремний (por-Si), открытый в 1956 году [1], интенсивно изучается с середины 90-х гг. прошлого века благодаря широкому спектру применений, в том числе в качестве материала, быстрое окисление которого сопровождается горением или взрывом [2–4]. <...> Как было показано в работах [4,5], кинетика горения во многом определяется толщиной стенок пор, пористостью и удельной площадью поверхности por-Si. <...> Чем больше площадь поверхности и тоньше стенки пор, тем выше скорость горения Si. <...> В этой связи определение закономерностей изменения морфологии пористого слоя от режимов формирования является важной задачей. <...> Наиболее часто por-Si формируют анодной обработкой в растворах плавиковой кислоты [6,7]. <...> Изменение состава электролита, плотности тока, выбор типа и степени легирования Si позволяет изменять размеры пор в диапазоне от единиц нанометров до нескольких микрометров. <...> Однако необходимость <...>