2 Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe−Sb2Te3 © А.А. Шерченков 1,С.А.Козюхин 2,¶, П.И. Лазаренко 1,А.В.Бабич 1, Н.А. Богословский 3,И.В. Сагунова 1,Е.Н.Редичев 1 1 Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“, 124498 Москва, Зеленоград, Россия 2 Институт общей и неорганической химии им. <...> А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ¶ E-mail: sergkoz@igic.ras.ru Получена 12 апреля 2016 г. Принята к печати 18 апреля 2016 г. Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe−Sb2Te3:Ge2Sb2Te5,GeSb2Te4 иGeSb4Te7. <...> Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. <...> Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. <...> Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. <...> Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe−Sb2Te3, что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти. <...> Одним из наиболее перспективных видов энергонезависимых запоминающих устройств нового поколения считается фазовая память [1,2], которая по ряду показателей либо уже превосходит, либо в перспективе может превзойти существующие и разрабатываемые виды памяти. <...> Принцип действия фазовой памяти основан на обратимом фазовом переходе материала из аморфного состояния в кристаллическое и обратно под действием внешних низкоэнергетических воздействий (лазерного излучения или электрического тока). <...> В электрической фазовой памяти кристаллическое состояние <...>