2 УДК 621.315.592 Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Y © В. <...> , 79005 Львов, Украина Е-mail: vromaka@polynet.lviv.ua Получена 15 марта 2015 г. Принята к печати 10 августа 2016 г. характеристики полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: T = 80−400 K, NY генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные A ≈ 1.9 · 1020 −5.721 см−3 (x = 0.01−0.30) и H ≤ 10 кГс. <...> Установлена природа механизма донорной природы в результате вытеснения ∼ 1% атомов Ni из позиции Hf (4a) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4a атомами Y. <...> Результаты расчета электронной структуры Hf1−xYxNiSn согласуются с экспериментальными данными. <...> Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского−Эфроса. <...> Введение Приизучениистабильностикинетических характеристик термоэлектрического материала Hf1−xLuxNiSn [1], полученного путем сильного легирования [2] n-HfNiSn редкоземельным металлом Lu, проявилась невоспроизводимость характеристик при высоких температурах (T = 800−1100K). <...> В свою очередь исследование структурных, энергетических, кинетических и магнитных характеристик Hf1−xLuxNiSn показало [3], что в кристалле в процессе легирования ожидаемо генерируются дефекты акцепторной природы при замещении атомов Hf (5d26s2) атомами Lu (5d16s2)(Lu владеет на один 5d-электрон меньше), а также неконтролируемо генерируются вакансии в позиции атомов Sn (4b). <...> Вакансии, в свою очередь, выступают центрами локализации неконтролируемых дефектов, а высокие температуры делают их мобильными, приводя к изменению плотности электронных состояний и невоспроизводимости характеристик <...>