1 Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе AIIIBV © С.Б. Мусалинов 1,А.П.Анзулевич 1,И.В.Бычков 1,А.С. Гудовских 2,М.З. Шварц 3¶ 1 Челябинский государственный университет, 454021 Челябинск, Россия 2 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия 3 Физико-технический институт им. <...> А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ¶ E-mail: shvarts@scell.ioffe.ru Получена 20 июня 2016 г. Принята к печати 29 июня 2016 г. Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO2/SiO2,итрехслойного, TiO2/Si3N4/SiO2, просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. <...> С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м2),атакже для случая отсутствия потерь на отражение. <...> Врамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO2/Si3N4/SiO2 дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см2 (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO2/SiO2, обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента. <...> Введение Повышение эффективности фотоэлектрического преобразования солнечного излучения является одной из главных задач при создании новых типов солнечных элементов (СЭ). <...> Для широко используемых в настоящее время в космической и наземной солнечной энергетике трехпереходных СЭ [1], а также активно разрабатываемых четырех- и шести-переходных <...>