1 Спин-зависимое туннелирование в гетероструктурах с магнитным слоем © К.С. Денисов 1,2,И. <...> А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 Lappeenranta University of Technology, FI-53851 Lappeenranta, Finland E-mail: denisokonstantin@gmail.com Получена 25 апреля 2016 г. Принята к печати 25 апреля 2016 г. Предложен механизм создания спиновой поляризации в полупроводниковых гетероструктурах, содержащих квантовую яму и пространственно отделенный от нее слой магнитных примесей. <...> Спиновая поляризация носителей заряда в квантовой яме появляется вследствие спин-зависимой туннельной рекомбинации на примесных состояниях в магнитном слое, при этом возникает быстрый линейный рост степени циркулярной поляризации фотолюминесценции из квантовой ямы. <...> Впервом случае имеет место резонансное туннелирование на спин-расщепленные подуровни примесного центра, при этом генерация спиновой поляризации происходит в меру разной заселенности резонансных уровней в квантовой яме для противоположных проекций спина. <...> Второй, нерезонансный случай, имеет место, когда спин-расщепленный примесный уровень лежит выше заполненных состояний электронов в квантовой яме и играет роль промежуточного состояния в двухэтапном когерентном процессе спин-зависимой рекомбинации электрона из квантовой ямы с дыркой в примесном слое. <...> Разработанная теория позволила качественно и количественно объяснить кинетику фотовозбужденных электронов в экспериментах по фотолюминесценции с временн´ ым разрешением в гетероструктурах на основе InGaAs, легированных слоем Mn. <...> Ограниченные возможности объемных образцов, а именно невозможность достижения комнатной температуры Кюри, сместили фокус исследований к низкоразмерным полупроводниковым гетероструктурам, в которых магнитный слой и квантовая яма (КЯ) разделены промежуточной буферной областью (спейсером)[3,4]. <...> Такая геометрия, с одной стороны, сохраняет транспортные и оптические свойства КЯ, а с другой — позволяет управлять <...>