И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, 03680 Киев, Украина E-mail: bekenev@ipms.kiev.ua Получена 1 марта 2016 г. Принята к печати 29 марта 2016 г. поверхности CdTe (111)B−(2√3Ч4) орт., заканчивающейся Te: идеальной, релаксированной, реконструированной и реконструированной с последующей релаксацией. <...> Вприближении слоистой сверхрешетки замыкания оборванных связей Cd на противоположной стороне пленки добавляли 24 фиктивных атома водорода с зарядом 1.5 электрона каждый. <...> Ab initio pасчеты проводили с использованием программы Quantum Espresso, основанной на теории функционала плотности. <...> Показано, что релаксация приводит к расщеплению верхних четырех слоев. <...> Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний. поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ∼ 16 . <...> Высокое качество монокристаллов и эпитаксиальных слоев, сравнительно большая ширина прямой запрещенной зоны делают его перспективным для создания приборов электронной техники [1,2], в частности высококачественных голубых и ультрафиолетовых (УФ) светодиодов, УФ-фотопроводников и инфракрасных детекторов, контактов и p−n-переходов, тонкопленочных микроволновых акустических резонаторов, электролюминесцентных приборов, пьезоэлектрических устройств, плоских катодов в лучевых трубках. <...> Всвете сказанного роль поверхности, понимание физической природы происходящих в ней процессов, получение однозначной и надежной информации об атомных и электронных свойствах поверхности (зонной структуре, плотности электронных состояний, плотности распределения заряда валентных электронов) являются важным условием обеспечения как правильного функционирования и стабильности оптоэлектронных и детекторных устройств, так и выращивания высококачественных пленок. <...> Кристаллическая структура полярных поверхностей CdTe (111) иCdTe (¯ 1¯1). <...> Экспериментально и теоретически <...>