Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Физика и техника полупроводников  / №1 2017

ДИФФУЗИЯ МЕЖУЗЕЛЬНОГО МАГНИЯ В БЕЗДИСЛОКАЦИОННОМ КРЕМНИИ (200,00 руб.)

0   0
Первый авторШуман
АвторыЛаврентьев А.А., Астров Ю.А., Лодыгин А.Н., Порцель Л.М.
Страниц3
ID591905
АннотацияИсследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур T = 600−800◦C. Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВ при дозах 5 · 1014 и 2 · 1015 см−2. Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния Di при некоторой заданной T пределялся путем измерения глубины p−n-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени t. В результате исследований впервые определена зависимость Di(T). Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму
УДК621.315.592
ДИФФУЗИЯ МЕЖУЗЕЛЬНОГО МАГНИЯ В БЕЗДИСЛОКАЦИОННОМ КРЕМНИИ / В.Б. Шуман [и др.] // Физика и техника полупроводников .— 2017 .— №1 .— С. 9-11 .— URL: https://rucont.ru/efd/591905 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

1 УДК 621.315.592 Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии © В.Б. Шуман, А.А. Лаврентьев, Ю.А. Астров, А.Н. Лодыгин, Л.М. Порцель Физико-технический институт им. <...> А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия E-mail: Shuman@mail.ioffe.ru Получена 10 мая 2016 г. Принята к печати 18 мая 2016 г. Исследовалась диффузия примеси магния в пластины монокристаллического бездислокационного дырочного кремния в диапазоне температур T = 600−800◦C. <...> Источником диффузии служил слой, имплантированный магнием с энергией ионов 150 кэВпри дозах 5 · 1014 и2· 1015 см−2. <...> Коэффициент диффузии межузельных донорных центров магния Di при некоторой заданной T пределялся путем измерения глубины p−n-перехода, который формировался в образцах, прошедших термообработку в течение времени t. <...> Данные свидетельствуют, что диффузия осуществляется преимущественно по межузельному механизму. <...> 2017.01.43986.8313 Легированный глубокой донорной примесью магния монокристаллический кремний (Si : Mg) изучался в связи с разработками детекторов для инфракрасной области спектра [1]. <...> Известно, что кремний, содержащий мелкие доноры, может служить источником излучения в длинноволновой области спектра [2]. <...> Поэтому интересна перспектива использовать для этих целей также и примесь магния [3]. <...> Для получения Si : Mg применялись различные методы: выращивание кристаллов из расплава [4], диффузия из газовой фазы в запаянной ампуле [5], жидкофазная эпитаксия [6],так называемый ”сандвич-метод“ (sandwich diffusion technique)[7–9],а также ионная имплантация [10]. <...> Вработе [11] легирование кремния осуществлялось путем напыления пленки магния на поверхность образца с последующей обработкой образца импульсным лазерным излучением и высокотемпературным прогревом. <...> Вместе с тем данные о некоторых важных для технологии Si : Mg параметрах отсутствуют. <...> Вчастности, до настоящего времени не определен коэффициент диффузии магния в кремнии. <...> Исследования электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) Si : Mg и результаты <...>