3 03,09 Линейно-циркулярный дихроизм в полупроводнике со сложной валентной зоной с учетом четырехфотонного поглощения света © Р.Я. Расулов, В.Р. Расулов, И.М. Эшболтаев Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан E-mail: r_rasulov51@mail.ru Поступила в Редакцию24 мая 2016 г. Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм многофотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной. <...> Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs. <...> При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. <...> Получено выражение для температурной зависимости коэффициента многофотонного поглощения поляризованного излучения, где учтены оптические переходы между подзонами тяжелых и легких дырок полупроводника. <...> 2017.03.44153.215 Нелинейное поглощение света в полупроводнике с вырожденной валентной зоной, обусловленное прямыми оптическими переходами между подзонами тяжелых и легких дырок и зависящее от состояния поляризации излучения, исследовано в [1–8]. <...> В этих работах считается, что нелинейность в зависимости коэффициента однофотонного поглощения от интенсивности возникает за счет резонансного насыщения поглощения. <...> Это насыщение обусловлено фотоиндуцированным изменением функций распределения легких и тяжелых дырок в области импульсного пространства вблизи поверхности Ehh(k) −Elh(k) −ω = 0, соответствующей условию резонанса. <...> В работах [8–16] исследовано многофотонное поглощение света в полупроводниках. <...> В [8] исследован многофотонный линейно-циркулярный дихроизм (ЛЦД) в p-Ge в режиме развитой нелинейности, когда в поглощение вносят сопоставимый вклад n-фотонные процессы с n =(1−5). <...> 1 В работах [9–16] исследованы двух-, трехфотонные процессы в полупроводниках, обусловленные оптическим переходами между валентной зоной и зоной проводимости, однако в них <...>