2 03,09 Спектроскопия резонансного возбуждения экситонной люминесценции твердых растворов GaSe−GaTe © А.Н. Старухин,Д.К.Нельсон, Д.Л.Федоров,Д.К.Сюняев Физико-технический институт им. <...> А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия E-mail: a.starukhin@mail.ioffe.ru Поступила в Редакцию 23 декабря 2015 г. Исследованы спектры возбуждения люминесценции локализованных экситонов в твердых растворах GaSe0.85Te0.15 при T = 2K. <...> Показано, что в спектрах возбуждения экситонов с энергией локализации ε> 10mV возникает дополнительный максимум ME, расположенный с низкоэнергетической стороны от максимума, соответствующего полосе поглощения свободного экситона с n = 1. <...> Установлено, что сдвиг положения максимума ME в спектре возбуждения относительно энергии детектируемых фотонов увеличивается по мере уменьшения энергии детектируемых фотонов, то есть с увеличением энергии локализации экситонов. <...> При резонансном возбуждении локализованных экситонов монохроматическим светом из области полосы экситонного излучения в спектре экситонной люминесценции с низкоэнергетической стороны от линии возбуждения также наблюдается максимум излучения (ML). <...> Энергетическое расстояние между положением возбуждающей линии и положением максимума в спектре излучения увеличивается по мере уменьшения частоты возбуждающего света. <...> Сделан вывод, что максимумы ME в спектре возбуждения и ML в спектре излучения обусловлены электронно-колебательными переходами с рождением и аннигиляцией локализованных экситонов соответственно. <...> Среди полупроводниковых твердых растворов, используемых в различных приложениях, значительное место занимают твердые растворы с изоэлектронным замещением. <...> Твердые растворы изоэлектронного замещения сохраняют геометрический дальний порядок в расположении атомов и ряд их фундаментальных свойств может быть описан в рамках модели виртуального кристалла [2]. <...> Однако в отличие от идеального кристалла флуктуации состава смешанного кристалла порождают <...>