1 13,03 Сравнительный анализ толщины и электрической проводимости тонких халькогенидных полупроводниковых пленок © В.В. Даньшина, Л.Ф. Калистратова Омский государственный технический университет, Омск, Россия E-mail: danshina_v@mail.ru Поступила в Редакцию 11 мая2016 г. Проведено рентгенографическое исследование структуры и толщины полупроводниковых пленок халькогенидов цинка и кадмия. <...> Показано, что толщина пленок соизмерима с глубиной половинного слоя ослабления рентгеновских лучей. <...> При нагревании в атмосфере водорода электрическая проводимость пленок увеличивается, а при нагревании в оксиде углерода уменьшается. <...> Получена противоположная тенденция в соотношении величин электрической проводимости и ширины запрещенной зоны исходной и окисленной поверхностей пленок. <...> Введение Полупроводниковые пленки имеют широкое применение в области радиотехнической аппаратуры: в оптоэлектронных устройствах записи информации, для создания светодиодов с синим излучением, полупроводниковых лазеров, солнечных батарей и элементов систем лазерного телевидения. <...> Параметры и характеристики приборов измерительной техники (например, термоэлектрических измерительных устройств) улучшаются после нанесения пленки на поверхности преобразователей. <...> Поэтому при изготовлении пленочных преобразователей большое значение имеет технология получения как пленок с исходным составом, так и пленок определенной толщины. <...> Пленки наносятся разными способами: термическим испарением в вакууме, катодным распылением, электронно-лучевым испарением, мгновенным (взрывным) испарением, химическим и электролитическим осаждением и др. <...> Пленки халькогенидных полупроводников получаются преимущественно первыми тремя способами [1]. <...> Халькогениды цинка и особенно кадмия нашли широкомасштабное наземное применение в тонкопленочных солнечных элементах (СЭ)[2,3] благодаря максимальному среди полупроводниковых материалов теоретическому коэффициенту <...>