1 04,13 Релаксация тока в Si3N4: эксперимент и численное моделирование © Ю.Н. Новиков 1,В.А.Гриценко 1,2 1 Институт физики полупроводников им. <...> А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 2 Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия E-mail: nov@isp.nsc.ru Поступила в Редакцию 7 июня2016 г. перимент сравнивается с расчетом, основанным на двухзонной модели проводимости и многофононном механизме ионизации ловушек. <...> Из сравнения эксперимента с расчетом для величины сечения рекомбинации получена оценка сверху, которая составила 5 · 10−13 cm2. <...> Введение Всовременных кремниевых приборах применяются два ключевых диэлектрика: аморфные оксид (SiO2) и нитрид кремния (Si3N4)[1]. <...> Нитрид кремния имеет высокую концентрацию глубоких электронных и дырочных ловушек (∼ 1020 cm−3) с гигантским временем удержания электронов и дырок в локализованном состоянии (десять лет при 85◦C)[1]. <...> Это свойство нитрида кремния используется в современной флеш-памяти. <...> Проводимость диэлектриков основана на переносе заряда по ловушкам. <...> Ранее для описания переноса заряда в Si3N4 использовалась однозонная модель [2–4]: проводимость описывается одним типом носителей — электронами или дырками. <...> Позднее для переноса заряда стала использоваться двухзонная модель [5–11]. <...> Вдвухзонной модели в переносе заряда участвуют электроны и дырки. <...> Из отрицательно смещенного контакта инжектируются электроны, а из положительно смещенного — дырки. <...> Необходимость использования двухзонной модели при рассмотрении переноса заряда в Si3N4 иллюстрирует следующий пример. <...> Врежиме ”перепрограммирования“ в элементе памяти кремний−оксид−нитрид−оксид−полупроводник из Si-подложки инжектируются дырки, а из поликремниевого затвора — электроны (паразитная инжекция электронов). <...> Одной из главных задач в этом случае является уменьшение паразитной инжекции электронов из поликремниевого затвора. <...> Паразитная инжекция электронов из поликремниевого затвора приводит к уменьшению окна <...>