1 04,03 Усиление и инверсия переменного электрического поля в мелкодисперсном диэлектрике © В.Ф. Харламов Приокский государственный университет, Орел, Россия E-mail: vladkharl@rambler.ru Поступила в Редакцию 1 марта 2016 г. В окончательной редакции 20 мая2016 г. Установлено, что в двух плоскопараллельных слоях разных диэлектриков, заключенных между пластинами плоского конденсатора, происходит усиление более чем в 103 раз синусоидального электрического поля. <...> Для этого должны выполняться следующие условия: 1) один слой из двух образован мелкодисперсным диэлектриком, на поверхности частиц которого созданы ионизованные донорные центры, а в объеме частиц имеются свободные электроны; 2) диэлектрическая проницаемость порошка имеет отрицательное значение. <...> При этом в слое порошка одновременно с усилением электрического поля происходит его инверсия. <...> Введение Изучение электронных явлений в неоднородных полупроводниках привлекает внимание исследователей (см., например, [1]). <...> Вслучае мелкодисперсных полупроводников, поверхность частиц которых легирована донорной примесью, волновые функции электронов зоны проводимости ограничены размерами зерен порошка. <...> Вследствие этого электронные явления в таких мелкодисперсных материалах и однородных полупроводниках n-типа различаются существенным образом. <...> Вольтамперные характеристики порошков, поверхность наночастиц которых насыщена межузельными атомами водорода (донор), содержат участки отрицательного дифференциального сопротивления, которое монотонно приближается к нулю при увеличении силы тока [2]. <...> Согласно результатам теоретического анализа, полупроводниковые материалы, состоящие из сферических наночастиц, могут иметь термоэлектрическую эффективность, в десятки раз превышающую термоэлектрическую эффективность однородных полупроводников. <...> Для этого термоэлектронная работа выхода частиц порошка должна быть менее 1 eV [3], например в связи с наличием на их поверхности <...>