3 07 Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах © А.В. Шиляев,1 К.Д. Мынбаев,1,2 Н.Л. Баженов,1 А.А. Грешнов 1 1 Физико-технический институт им. <...> А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия e-mail: vozzdooh@gmail.com Поступило в Редакцию5 апреля 2016 г. Экспериментально исследована фотолюминесценция эпитаксиальных структур на основе узкозонных твердых растворов CdHgTe и установлено наличие в структурах масштабных флуктуаций состава, локализующих носители заряда. <...> Предложена модель, описывающая влияние флуктуаций на скорость излучательной рекомбинации, форму спектров люминесценции и положение их пика. <...> Модель описывает транспорт и рекомбинацию носителей в условиях сильной неоднородности состава твердого раствора и показывает, как локализация носителей проявляется в особенностях спектров люминесценции. <...> 2017.03.44249.1832 Введение Стохастический характер распределения атомов по узлам кристаллической решетки полупроводниковых твердых растворов приводит к появлению хвостов плотности состояний, что существенно уменьшает ширину запрещенной зоны Eg, проявляющуюся в оптических экспериментах. <...> При низких температурах пики люминесценции оказываются смещены в красную область относительно края поглощения или номинального (расчетного) значения ширины запрещенной зоны полупроводника. <...> С повышением температуры этот сдвиг уменьшается, так как из-за термического возбуждения носителей, рекомбинация которых определяет эффект излучения, они перестают быть локализованными во флуктуациях. <...> Влияние флуктуаций состава на оптические свойства изучалось для многих полупроводниковых материалов и гетероструктур (см., например, [1–5]). <...> Особый интерес оно представляет для узкозонных полупроводников, поскольку при типичной для них величине Eg в 100−300meV энергетические флуктуации амплитудой в десятки meV, обычные для твердых растворов <...>