2 04 Параметры пучковой плазмы, формируемой форвакуумным плазменным источником ленточного электронного пучка в системе транспортировки без магнитного поля © А.С. Климов,1 М.И. Ломаев,2,3 Е.М. Окс,1,2 А.П. Андрейчик 1 1 Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 634050 Томск, Россия 2 Институт сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия 3 Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия e-mail: klimov@main.tusur.ru Поступило в Редакцию 29 марта 2016 г. Проведены исследования процессов образования пучковой плазмы, формируемой форвакуумным плазменным источником ленточного электронного пучка в условиях его транспортировки без сопровождающего магнитного поля. <...> Определены условия зажигания в области транспортировки пучка пучково-плазменного разряда, позволяющего формировать плазменное образование типа ”плазменного листа“ с концентрацией порядка ∼ 1016m−3 и температурой электронов 1−2.5 eV. <...> Достигнутые значения параметров и размеры плазмы позволяют использовать ее в технологиях поверхностной модификации плоских протяженных изделий. <...> 2017.02.44124.1825 Введение Пучковая плазма, образованная при взаимодействии ускоренного электронного пучка с остаточным газом, представляет интерес для плазмохимических процессов [1], травления и очистки поверхности различных материалов, синтеза защитных и функциональных покрытий [2,3], стерилизации внутренних поверхностей полых изделий [4], а также для ряда других применений. <...> Оптимальная область давлений для формирования пучковой плазмы лежит в пределах 1−40Pa [5]. <...> Форвакуумные плазменные источники электронов [6] представляют собой одно из направлений современного развития источников электронов с плазменным катодом [7]. <...> Они обеспечивают возможность получения электронных пучков непосредственно в области повышенных давлений форвакуумного диапазона, близких к оптимальным для синтеза пучковой плазмы. <...> Использование <...>