1 07 Исследование процесса выключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением © И.В. Грехов,1 А.Г. Люблинский,1 А. <...> А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия 2 ЗАО ”ВЗПП-Микрон“, 394033 Воронеж, Россия e-mail: grekhov@mail.ioffe.ru Поступило в Редакцию 14 июня 2016 г. Представлены результаты экспериментального исследования процесса выключения интегрального тиристора в схеме с индуктивной нагрузкой. <...> Показано, что предельная плотность выключаемого тока определяется возникновением высокочастотного колебательного процесса в условиях динамического лавинного пробоя, приводящего к образованию нестабильных шнуров тока. <...> Этот процесс возникает в самом начале нарастания напряжения на коллекторном переходе и инициируется потоком электронов из эмиттера в область объемного заряда коллектора. <...> Обсуждены возможные путиповышения предельной плотности выключаемого тока. <...> 2017.01.44034.1930 Введение Интегральный тиристор — это прибор силовой микроэлектроники на основе кремниевой тиристорной n+pN0p+-структуры, эмиттерный n+p-переход которого выполнен в виде узких сильнолегированных n+полос с поперечным размером ∼ 15µ,а p-базовый слой с уровнем легирования 1016−1017 cm−3 имеет толщину 2−3µ, т. е. быстродействие и коэффициент усиления n+pN0-транзистора довольно высокие. <...> Толщина и уровень легирования N0-базового слоя, как ив обычном тиристоре, выбираются в зависимости от требуемой величины рабочего напряжения. <...> Эмиттерные и базовые полосы, длина которых около 100µ, объединены алюминиевыми шинами с шириной ∼ 100µ. <...> Эмиттерные шины объединяются шиной шириной ∼ 400µ,к которой осуществляется приварка контактных выводов. <...> Базовые шины соединяются с контактными площадками, к которым также производится приварка выводов. <...> Толщина алюминиевой металлизации эмиттерных и базовых полос составляет ∼ 2µ, а на шины наносится второй слой металлизации толщиной ∼ 6µ. <...> Защита от пробоя по поверхностиколлекторного pN0-перехода осуществляется <...>